[发明专利]一种Cs3

权利要求书

1.一种Cs₃Cu₂I₅薄膜的制备方法，其特征在于：采用差速旋涂法将Cs₃Cu₂I₅前驱体溶液涂覆于ITO玻璃，并在旋涂的最后5秒内滴加反溶剂；所述差速为先慢速后快速；所述反溶剂为与所述Cs₃Cu₂I₅前驱体溶液体积比为5:3-2的乙酸甲酯，以形成均匀致密的薄膜，旋涂后的ITO玻璃在50-60℃下退火0.5-1h；

所述Cs₃Cu₂I₅前驱体溶液制备方法为将CsI与CuI溶解于DMF与DMSO的混合溶液；

所述溶解方式为50-70℃加热搅拌0.5-1.2h；

所述CsI、CuI、DMF和DMSO的质量体积比为2g:1g:3-3.5ml:0.85-1.0ml；

所述差速旋涂具体步骤为：

1)将所述Cs₃Cu₂I₅前驱体溶液滴加于ITO玻璃中心位置；

2)于ITO玻璃中心，800-1200r/min转速下，慢速旋涂Cs₃Cu₂I₅前驱体溶液10-20s；

3)于ITO玻璃中心，3000-5000r/min转速下，快速旋涂Cs₃Cu₂I₅前驱体溶液20-40s；

4)在步骤3)的快速旋涂最后5秒内，在ITO玻璃中心快速滴加乙酸甲酯以获得混合溶液；

对于混合溶液，混合溶液的总蒸气压等于混合溶液中各个分溶剂的蒸气压之和，总沸点低于混合溶液中沸点最低的溶剂；

5)将步骤4)中制得的ITO玻璃置于50-60℃下加热0.5-1h，冷却制得Cs₃Cu₂I₅薄膜。

2.如权利要求1所述的Cs₃Cu₂I₅薄膜的制备方法，其特征在于：将所述ITO玻璃依次用洗洁精，去离子水，丙酮，酒精以及异丙醇超声和进行UV臭氧处理。

3.如权利要求2所述的Cs₃Cu₂I₅薄膜的制备方法，其特征在于：所述超声时间为25-35min；所述UV臭氧处理时间为25-35min。

4.一种Cs₃Cu₂I₅薄膜，该薄膜采用如权利要求1-3任一所述的方法制备，其特征在于：所述薄膜用于深紫外光电探测器。