[发明专利]激光退火装置和激光退火设备在审
申请号: | 201910886061.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110600367A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 路兆里;赵东升 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268;H01L21/67 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 曲鹏;解婷婷 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光斑 补偿机构 激光退火装置 对称形态 光学装置 聚焦结构 准直机构 激光 激光光束能量 激光退火设备 激光传输 激光引导 激光装置 输出激光 依次设置 偏移 激光窗 均匀性 退火室 变形 优化 保证 | ||
1.一种激光退火装置,其特征在于,包括输出激光的激光装置以及将所述激光引导至退火室的光学装置,所述光学装置包括在激光传输光路上依次设置的准直机构、补偿机构和聚焦结构,所述补偿机构用于对激光的初始光斑剖面进行补偿,使初始光斑剖面形成标准对称形态。
2.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述补偿机构包括分束单元和翻转单元,其中,
所述分束单元,用于将来自所述准直机构的入射光束处理成第一光束和第二光束;还用于将所述第一光束和初始光斑剖面翻转后的第二光束拟合,向所述聚焦结构输出具有标准对称形态初始光斑剖面的光束;
所述翻转单元,用于将所述第二光束的初始光斑剖面翻转。
3.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述分束单元包括分束器,所述分束器通过反射形成第一光束,通过透射形成第二光束。
4.根据权利要求3所述的激光退火装置,其特征在于,所述分束器的反射率为50%,所述分束器的透射率为50%。
5.根据权利要求2所述的激光退火装置,其特征在于,所述翻转单元包括相对设置的第一反射镜和第二反射镜,所述第一反射镜和第二反射镜设置在所述分束器的透射面一侧,所述第一反射镜与所述分束器的透射面之间的夹角为67.5°,所述第二反射镜与所述分束器的透射面之间的夹角为67.5°。
6.根据权利要求1所述的激光退火装置,其特征在于,所述补偿机构设置在所述准直机构的第四反射镜与所述聚焦结构的第五反射透射镜之间。
7.根据权利要求1~6任一所述的激光退火装置,其特征在于,所述激光装置包括形成气体循环腔室的壳体和形成谐振腔室的激光管,所述谐振腔室内设置有放电电极和消除激光输出路径上气体杂质的气体净化装置。
8.根据权利要求7所述的激光退火装置,其特征在于,所述气体净化装置包括至少二个静电吸附管,所述至少二个静电吸附管固定在所述谐振腔室的侧壁上。
9.根据权利要求8所述的激光退火装置,其特征在于,所述至少二个静电吸附管分别设置在气体进出所述放电电极的通道上。
10.一种激光退火设备,其特征在于,包括如权利要求1~9中任一项所述的激光退火装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造