[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 201910886062.X | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110581160B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 贾文斌 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方卓印科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 蒋冬梅;曲鹏 |
地址: | 230012 安徽省合肥市新*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:周边显示区域和中心显示区域;
所述周边显示区域内规则排布有多个第一像素单元,所述中心显示区域内规则排布有多个第二像素单元;所述周边显示区域内第一像素单元的像素密度大于所述中心显示区域内第二像素单元的像素密度,或者,所述周边显示区域内第一像素单元的像素密度等于所述中心显示区域内第二像素单元的像素密度,且所述第一像素单元的面积大于所述第二像素单元的面积。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述周边显示区域内第一像素单元的像素密度大于所述中心显示区域内第二像素单元的像素密度,包括:所述周边显示区域内相邻第一像素单元之间的距离小于所述中心显示区域内相邻第二像素单元之间的距离,且所述第一像素单元的面积等于所述第二像素单元的面积。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述周边显示区域内第一像素单元的像素密度大于所述中心显示区域内第二像素单元的像素密度,包括:所述周边显示区域内相邻第一像素单元之间的距离小于所述中心显示区域内相邻第二像素单元之间的距离,且所述第一像素单元的面积大于所述第二像素单元的面积。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一像素单元包括N个第一发光单元,所述第二像素单元包括N个第二发光单元;
其中,所述第一发光单元的有机功能层和第二发光单元的有机功能层采用喷墨打印方式形成,且形成所述第一发光单元的有机功能层所使用的第一有机功能溶液的溶剂浓度大于形成所述第二发光单元的有机功能层所使用的第二有机功能溶液的溶剂浓度。
5.根据权利要求1或3所述的显示基板,其特征在于,靠近中心显示区域的第一像素单元的面积小于远离中心显示区域的第一像素单元的面积。
6.根据权利要求1或3所述的显示基板,其特征在于,靠近周边显示区域的第二像素单元的面积大于远离周边显示区域的第二像素单元的面积。
7.根据权利要求1或3所述的显示基板,其特征在于,在所述周边显示区域和中心显示区域的交界区域,所述第一像素单元的面积大于与其相邻的第二像素单元的面积。
8.根据权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,靠近中心显示区域的相邻第一像素单元之间的距离大于远离中心显示区域的相邻第一像素单元之间的距离。
9.根据权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,靠近周边显示区域的相邻第二像素单元之间的距离小于远离周边显示区域的相邻第二像素单元之间的距离。
10.根据权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,在所述周边显示区域和中心显示区域的交界区域,相邻第一像素单元之间的距离小于相邻第二像素单元之间的距离。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至10中任一项所述的显示基板。
12.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:
在周边显示区域制备规则排布的多个第一像素单元,在中心显示区域制备规则排布的多个第二像素单元;
其中,所述周边显示区域内第一像素单元的像素密度大于所述中心显示区域内第二像素单元的像素密度,或者,所述周边显示区域内第一像素单元的像素密度等于所述中心显示区域内第二像素单元的像素密度,且所述第一像素单元的面积大于所述第二像素单元的面积。
13.根据权利要求12所述的制备方法,其特征在于,所述第一像素单元包括N个第一发光单元,所述第二像素单元包括N个第二发光单元;
所述在周边显示区域制备规则排布的多个第一像素单元,在中心显示区域制备规则排布的多个第二像素单元,包括:
在周边显示区域制备规则排布的多个第一开口区域,在中心显示区域制备规则排布的多个第二开口区域;
采用喷墨打印方式,在所述第一开口区域喷设第一有机功能溶液形成第一发光单元的有机功能层,在所述第二开口区域喷设第二有机功能溶液形成第二发光单元的有机功能层,其中,所述第一有机功能溶液的溶剂浓度大于所述第二有机功能溶液的溶剂浓度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的