[发明专利]晶锭的制备方法、晶锭生长用原料物质及其制备方法有效
| 申请号： | 201910886333.1 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN111719181B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张炳圭;金政圭;崔正宇;具甲烈;高上基 | 申请（专利权）人： | 赛尼克公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 成都超凡明远知识产权代理有限公司 51258 | 代理人： | 金相允;梁香美 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 方法 生长 原料 物质 及其 | ||
1.一种晶锭的制备方法，其特征在于，包括：
装入步骤，将含有D50为80μm以上的原料粉末的原料物质装入反应容器；
颈缩步骤，通过调节所述反应容器内的温度来形成相邻的所述原料粉末的多个粒子相连的颈缩原料物质；以及
晶锭生长步骤，升华多个原料物质，从而由所述颈缩原料物质来生长晶锭，
所述颈缩步骤在350torr以上的压力下进行。
2.根据权利要求1所述的晶锭的制备方法，其特征在于，在将所述原料粉末的物质自身的密度视为100的情况下，所述原料粉末的振实密度的比率为69以下。
3.根据权利要求1所述的晶锭的制备方法，其特征在于，所述颈缩步骤依次包括升温过程及热处理过程，所述热处理过程在1800℃以上的温度下进行。
4.根据权利要求1所述的晶锭的制备方法，其特征在于，所述原料粉末的振实密度为2.1g/cm3以下。
5.根据权利要求1所述的晶锭的制备方法，其特征在于，
所述颈缩原料物质在其表面包括碳化层，
所述碳化层的碳含量大于所述原料粉末粒子的中心部的碳含量。
6.根据权利要求1所述的晶锭的制备方法，其特征在于，所述晶锭生长步骤中的所述晶锭的生长速率为180μm/hr以上。
7.根据权利要求1所述的晶锭的制备方法，其特征在于，所述原料粉末含有SiC粒子。
8.根据权利要求1所述的晶锭的制备方法，其特征在于，所述晶锭为SiC晶锭。
9.一种晶锭生长用原料物质，其特征在于，作为含有D50为80μm以上的粒子的原料粉末，在350torr以上的压力下通过调节温度来使含有所述原料粉末的粒子的至少一部分与相邻的其他粒子物理连接的颈缩原料物质。
10.根据权利要求9所述的晶锭生长用原料物质，其特征在于，在将所述原料粉末的物质自身的密度视为100的情况下，所述原料粉末的振实密度的比率为69以下。
11.根据权利要求9所述的晶锭生长用原料物质，其特征在于，
所述颈缩原料物质在其表面包括碳化层，
所述碳化层的碳含量大于所述原料粉末粒子的中心部的碳含量。
12.根据权利要求9所述的晶锭生长用原料物质，其特征在于，
所述原料粉末的粒子是纵横比为0.3至1的结晶粒子。
13.根据权利要求9所述的晶锭生长用原料物质，其特征在于，采用20m3/min的风量和230mmAq的静压来进行吸入时，吸入之前和吸入之后的所述晶锭生长用原料物质的重量差为2重量百分比以下。
14.一种晶锭生长用原料物质的制备方法，其特征在于，
包括：
装入步骤，将含有D50为80μm以上的原料粉末的原料物质装入反应容器；以及
颈缩步骤，在350torr以上的压力下通过调节所述反应容器内的温度来形成相邻的所述原料粉末的多个粒子相连的颈缩原料物质。
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