[发明专利]一种集成CMOS探测器及制备工艺

权利要求书

1.一种CMOS单芯片探测器，其特征在于，从下至上依次包括硅衬底、绝缘层，绝缘层上形成有CMOS电路，CMOS电路由左右对称的NMOS电路、PMOS电路组成，NMOS电路、PMOS电路上形成有引出电极，所述NMOS电路、PMOS电路之间的区域形成有一对叉指电极，包括左叉指电极、右叉指电极，叉指电极形成于绝缘层的上表面，所述引出电极与叉指电极互连，叉指电极的上方覆盖有Al_xGa_yIn_2-x-yO₃活性层；

所述CMOS单芯片探测器的制备工艺，包括以下步骤：

(1) 先在硅衬底表面生成绝缘层，然后在绝缘层上制作CMOS电路和引出电极；

(2) 对步骤(1)获得的结构进行光刻，用光刻胶覆盖住CMOS电路部分区域，裸露出设计Al_xGa_yIn_2-x-yO₃活性层生长区域；

(3) 对步骤(2)获得的结构中裸露区域制作叉指电极，叉指电极与CMOS电路引出电极互连；

(4) 在步骤(3)获得的结构中叉指电极的上方生长Al_xGa_yIn_2-x-yO₃活性层；

(5) 去除光刻胶，裸露出CMOS电路部分区域，完成CMOS单芯片探测器的制作。

2.根据权利要求1所述的CMOS单芯片探测器，其特征在于，所述的绝缘层为氧化硅、三氧化二铝、氟化镁中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的CMOS单芯片探测器，其特征在于，所述的叉指电极由Ni、Au、Pt、Cu、Al、Ag、Cr、In中的一种或多种组合制成。

4.根据权利要求1所述的CMOS单芯片探测器，其特征在于，所述的Al_xGa_yIn_2-x-yO₃材料中Al、Ga、In各元素的组分可以通过调节原材料的组分和生长过程的条件参数，包括气压、温度来实现，从而调节探测器的响应波长。

5.根据权利要求1所述CMOS单芯片探测器，其特征在于，步骤(4)中，所述生长Al_xGa_yIn_2-x-yO₃活性层的方法为磁控溅射、热蒸发、化学气相沉积中的任意一种。