[发明专利]电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法

说明书

本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。该电子传输膜层的制备方法包括如下步骤：提供基板；将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中，得到金属氧化物纳米颗粒溶液；其中，所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性；将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并经干燥处理后得到电子传输膜层。该制备方法过程中配置的金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性，不会受环境的温度、湿度影响，这样制得的电子传输膜层具有很好的成膜质量，可提高器件的性能和使用寿命。

技术领域

本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法。

背景技术

量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)基于半导体量子点的发光二极管，具备颜色纯度高、发光波长可调、驱动效率高等特点，并且易于通过溶液方法制备，这样降低了发光二极管的制备成本和工艺复杂程度，是未来显示行业的重要发展技术。经过了将近25年的发展，量子点的效率已经由0.01％提升至超过20％，并且通过叠层等结构获得将27.6％(绿色)的外量子产率，从器件效率方面，量子点发光二极管已经相当接近有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)。然而，尽管量子点器件拥有上述的优势，目前器件的工作寿命仍未完全达到产业化的要求。

目前QLED的器件结构与OLED相似，通过空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等构成类似p-i-n结的三明治结构，通过平衡电子和空穴的注入达到发光的效果。QLED器件将来需要通过溶液方法实现规模化量产，其中电子传输层在旋涂(或印刷打印)工艺中，它的成膜质量对于电子的注入和输入有重要的影响。

电子传输层材料为金属氧化物纳米颗粒，以醇类物质作为溶剂、通过溶液方法制备的QLED器件容易受到以下方面的影响：金属氧化物纳米颗粒在溶剂中的稳定性差，以纳米氧化锌为例，其尺寸大小约3到10nm之间，其在乙醇中的稳定性容易受到大气温度、湿度变化的影响，在室温中长时间放置容易出现浑浊甚至沉淀，因此，在旋涂(或印刷打印)工艺中影响成膜质量，进而降低器件性能和器件工作寿命。

发明内容

本发明的目的在于提供一种电子传输膜层的制备方法和量子点发光二极管的制备方法，旨在解决金属氧化物纳米颗粒溶液稳定性差，从而影响电子传输膜层成膜质量的技术问题。

为实现上述发明目的，本发明采用的技术方案如下：

一方面，本发明提供一种电子传输膜层的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

将金属氧化物纳米颗粒溶于混合溶剂中，得到金属氧化物纳米颗粒溶液；其中，所述混合溶剂包括第一溶剂和第二溶剂，所述金属氧化物纳米颗粒在所述第二溶剂中的溶解性大于在所述第一溶剂中的溶解性；

将所述金属氧化物纳米颗粒溶液沉积在所述基板上并进行干燥处理后得到电子传输膜层。

本发明提供的电子传输膜层的制备方法中，在配置用于制备电子传输膜层的金属氧化物纳米颗粒溶液时，在第一溶剂的基础上，还加入了第二溶剂，该第二溶剂可以使金属氧化物纳米颗粒在其中的溶解性大于在第一溶剂中的溶解性，这样可以使金属氧化物纳米颗粒更好地分散在混合溶剂中，使得金属氧化物纳米颗粒溶液具有很好的稳定性，不会受环境的温度、湿度影响，这样稳定的金属氧化物纳米颗粒溶液沉积后，会形成更加致密、平整的膜层，从而制得的电子传输膜层具有很好的成膜质量，用于量子点发光二极管中最终可提高器件的性能和使用寿命。

另一方面，本发明还提供一种量子点发光二极管的制备方法，包括如下步骤：

提供基板；

利用本发明所述的电子传输膜层的制备方法在所述基板上制得电子传输层。