[发明专利]一种有机电致发光显示面板及其驱动方法有效
申请号: | 201910886614.7 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110600518B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 赵彦礼;李晓吉;王志会;王广;王玉;刘小龙;刘棵菓 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示 面板 及其 驱动 方法 | ||
1.一种有机电致发光显示面板,包括基底和设置在所述基底上的像素单元,所述像素单元包括发光结构和驱动电路,其特征在于,所述像素单元划分为宽视角显示区和窄视角显示区,所述发光结构包括宽视角发光部和窄视角发光部,所述宽视角发光部设置于所述宽视角显示区内,所述窄视角发光部设置于所述窄视角显示区内,所述驱动电路能分别驱动所述宽视角发光部和所述窄视角发光部发光,以实现所述显示面板的宽视角显示和窄视角显示;
一个所述像素单元内包括多个所述宽视角显示区和多个所述窄视角显示区,所述宽视角显示区和所述窄视角显示区交替排布;
所述宽视角发光部为正梯台形状,所述窄视角发光部为倒梯台形状;相邻的所述宽视角发光部和所述窄视角发光部相互对接;
所述宽视角发光部和所述窄视角发光部均包括依次远离所述基底设置的绝缘层、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、光反射层、电子传输层、电子注入层和阴极层;
其中,所述正梯台指面积较大的底面靠近所述基底设置,面积较小的底面远离所述基底设置;所述倒梯台指面积较大的底面远离所述基底设置,面积较小的底面靠近所述基底设置;相邻的所述宽视角发光部和所述窄视角发光部的相邻的斜面相互对接。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,一个所述像素单元内,所述宽视角发光部和所述窄视角发光部的阴极层共用且连接相同的阴极信号;
所述驱动电路包括用于驱动所述宽视角发光部的第一驱动管和用于驱动所述窄视角发光部的第二驱动管;一个所述像素单元内,多个所述宽视角发光部的阳极层连接同一个所述第一驱动管的漏极;多个所述窄视角发光部的阳极层连接同一个所述第二驱动管的漏极;
一个所述像素单元内,所述第一驱动管的栅极和所述第二驱动管的栅极连接同一条栅线,所述第一驱动管的源极和所述第二驱动管的源极连接同一条数据线。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述宽视角发光部的绝缘层为正梯台形状,所述宽视角发光部的绝缘层的背离所述基底的侧面上形成有多个第一凹结构,所述宽视角发光部的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和发光层的靠近所述基底的侧面上分别形成有多个第一凸结构,所述第一凸结构与所述第一凹结构的位置相对应且大小形状相适配;
所述窄视角发光部的绝缘层为倒梯台形状,所述窄视角发光部的绝缘层的背离所述基底的侧面上形成有多个第二凸结构,所述窄视角发光部的阳极层、空穴注入层、空穴传输层和发光层的靠近所述基底的侧面上分别形成有多个第二凹结构,所述第二凹结构与所述第二凸结构的位置相对应且大小形状相适配。
4.根据权利要求3所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,多个所述第一凹结构大小形状相同且均匀分布,所述第一凹结构的最大深度为所述宽视角发光部的绝缘层厚度的一半,相邻两所述第一凹结构的间隔距离为所述第一凹结构的最大开口宽度;
多个所述第二凸结构大小形状相同且均匀分布,所述第二凸结构的最大高度为所述窄视角发光部的绝缘层厚度的一半,相邻两所述第二凸结构的间隔距离为所述第二凸结构垂直于其高度方向的最大宽度。
5.根据权利要求4所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述第一凹结构平行于其深度方向的截面形状为半圆形、半椭圆形、三角形或梯形;
所述第二凸结构平行于其高度方向的截面形状为半圆形、半椭圆形、三角形或梯形。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光显示面板,其特征在于,所述宽视角发光部的绝缘层的折射率大于其发光层的折射率;
所述窄视角发光部的绝缘层的折射率小于其发光层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的