[发明专利]单环MOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910886732.8 | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN112530806A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 刘东栋;张洁 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/225;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;张冉 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种单环MOS器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在半导体基片的目标区域中注入第一掺杂离子；
S2、在炉管中进行热扩散的过程中，向所述炉管中注入氧气，以在所述半导体基片的上表面形成氧化层，并使所述第一掺杂离子向所述半导体基片的内部扩散以形成保护环。
2.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，步骤S2包括：
在所述炉管的升温的过程中，向所述炉管中注入氧气。
3.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，向所述炉管中注入氧气的速率为大于8L/min。
4.如权利要求3所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，向所述炉管中注入氧气的速率为15L/min。
5.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，步骤S2还包括：向所述炉管中注入氮气。
6.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，在步骤S1之前，所述制作方法还包括以下步骤：
S0、在所述半导体基片的背面形成重掺杂的n型衬底层，在所述半导体基片的正面形成n型外延层；
则所述目标区域设置于所述n型外延层的上表面，所述第一掺杂离子为p型离子。
7.如权利要求6所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，所述p型离子为硼离子。
8.如权利要求1所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，在步骤S2中，所述炉管内部的最高温度为1100-1200摄氏度，所述最高温度的持续时间为550-650分钟。
9.如权利要求8所述的单环MOS器件的制作方法，其特征在于，在步骤S2中，所述炉管内部的最低温度为650-750摄氏度。
10.一种单环MOS器件，其特征在于，所述单环MOS器件采用如权利要求1-9中的任意一项所述的单环MOS器件的制作方法制作形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
