[发明专利]集成磁聚集器和连接有效
| 申请号： | 201910886785.X | 申请日： | 2019-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN110927638B | 公开（公告）日： | 2022-09-06 |
| 发明（设计）人： | J-W·博森斯;A·范德维尔 | 申请（专利权）人： | 迈来芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/10 | 分类号： | G01R33/10;G01R33/04;G01R33/06;G01R33/07;G01R33/00;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉;张鑫 |
| 地址： | 比利时*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 聚集 连接 | ||
1.一种半导体器件(100、200、400)，包括：电子电路(102)、互连接触件(105、205)和板(104、204、432)，所述板(104、204、432)被配置成用于将磁通量聚集到适于包括用于测量磁场通量的感测元件的预定区域，所述板(104、204、432)是导电的，
其中，所述板(104、204、432)电连接到所述电子电路(102)，
其特征在于，所述板(104、204)在互连接触件(105、205)和电子电路(102)之间提供电路径。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述板(104、204、432)包括镍和铁。
3.-如前述权利要求中任一项所述的器件，进一步包括再分布层(RDL)，所述再分布层(RDL)用于使所述电子电路的端口在其他位置处能用，其中所述板(204、432)电连接到所述再分布层(RDL)。
4.如权利要求3所述的器件，进一步包括保护层(211)，所述保护层(211)用于保护电子电路(102)，并用于机械地支撑再分布层(RDL)的至少一部分。
5.-如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述板(104、204)适于用作所述电子电路(102)与所述互连接触件(105)之间的扩散阻障件。
6.-如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述互连接触件(105、205)是焊球。
7.-如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述板(104)包括从所述互连接触件(105)达到不超过所述板(104)的厚度的三分之一的材料。
8.如权利要求1所述的器件，进一步包括至少一个磁场感测元件(107、411)，所述至少一个磁场感测元件(107、411)被配置成用于感测由所述板(104、204、423)聚集的磁通量。
9.一种在半导体器件上提供磁系统的方法，所述方法包括：
-在衬底(101)上提供(301)具有电子电路(102)的半导体器件，
-在所述衬底上提供(302)板，其中，提供(302)所述板包括将所述板配置(312)成用于将磁通量聚集到适合于包括用于测量磁场通量的感测元件的预定区域，
其中，提供(302)所述板进一步包括将所述板与所述电子电路电连接(322)，
进一步包括提供(303)互连接触件，并将所述互连接触件电连接到所述板。
10.如权利要求9所述的方法，进一步包括提供(308)掩蔽层，所述掩蔽层用于在所述板的一部分上提供至少一个互连接触件。
11.如权利要求9或10中任一项所述的方法，进一步包括使所述互连接触件紧靠(313)所述板。
12.如权利要求9所述的方法，进一步包括在所述衬底上提供(306)籽晶层，随后在所述籽晶层上提供(302)所述板，其中所述籽晶层是导电的，以用于将所述板电连接(322)至所述电子电路(102)。
13.如权利要求9所述的方法，进一步包括在提供(302)所述板之前，至少部分地在所述衬底(101)上方提供(305、307)掩蔽层。
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