[发明专利]一种芯片化保护装置的继电器工作状态监测系统有效

专利信息
申请号: 201910887145.0 申请日: 2019-09-19
公开(公告)号: CN110488183B 公开(公告)日: 2022-05-24
发明(设计)人: 李肖博;李鹏;习伟;周柯;王晓明;匡晓云;关红兵;于杨 申请(专利权)人: 南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司;广西电网有限责任公司电力科学研究院
主分类号: G01R31/327 分类号: G01R31/327
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 刘志红
地址: 510663 广东省广州市萝岗区科*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 保护装置 继电器 工作 状态 监测 系统
【说明书】:

本申请公开了一种芯片化保护装置的继电器工作状态监测系统,包括控制模块、启动模块、自检模块和继电器开出模块;控制模块分别与启动模块、自检模块和继电器开出模块连接,启动模块与自检模块连接;控制模块用于通过控制启动模块和继电器开出模块的状态,以使继电器处于准备出口或已出口或不出口的状态,根据自检模块在继电器的各个状态下反馈的自检信号与预设标准判断继电器开出模块和/或启动模块是否故障,若继电器开出模块和/或启动模块发生故障,则发出警报。通过本申请,用户可以及时知晓故障情况,避免了继电器误出口,保证了设备的可靠运行,而且本申请监测电路简单,成本低。

技术领域

本申请涉及工业控制技术领域,特别是涉及一种芯片化保护装置的继电器工作状态监测系统。

背景技术

目前,在工业控制和继电保护等领域中,继电器为最常见的控制器件之一,应用十分广泛。

在继电器的驱动回路中,目前采用的是功能简单可靠的电磁型继电器,但其无法实现自身的工作状态监测。而驱动继电器的启动模块的断路、短路以及继电器的线圈异常都会导致继电器错误的出口,影响设备的可靠运行,甚至造成重大事故的发生。

因此,如何提供一种能解决上述技术问题的方案,是本领域的技术人员目前需要解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种芯片化保护装置的继电器工作状态监测系统,通过本申请,用户可以及时知晓故障情况,避免了继电器误出口,保证了设备的可靠运行,而且本申请监测电路简单,成本低。

为解决上述技术问题,本申请提供了一种芯片化保护装置的继电器工作状态监测系统,包括控制模块、启动模块、自检模块和继电器开出模块;

所述控制模块分别与所述启动模块、所述自检模块和所述继电器开出模块连接,所述启动模块与所述自检模块连接;

所述控制模块用于通过控制所述启动模块和所述继电器开出模块的状态,以使继电器处于准备出口或已出口或不出口的状态,根据所述自检模块在所述继电器的各个状态下反馈的自检信号与预设标准判断所述继电器开出模块和/或所述启动模块是否故障,若所述继电器开出模块和/或所述启动模块发生故障,则发出警报。

优选地,所述启动模块包括第一与非门、第二与非门、第一可控开关管和第一电源模块;

所述第一与非门的第一输入端与所述控制模块连接,所述第二与非门的第一输入端与所述第二与非门的第二输入端连接,其公共端与所述控制模块连接,所述第一与非门的第二输入端与所述第二与非门的输出端连接,所述第一与非门的输出端与所述第一可控开关管的控制端连接,所述第一可控开关管的输入端与所述第一电源模块连接,所述第一可控开关管的输出端与所述继电器开出模块的输入端连接;

则当所述控制模块控制所述第一可控开关管关断时,所述继电器处于不出口的状态,当所述控制模块控制所述第一可控开关管导通时,所述继电器处于准备出口或已出口的状态。

优选地,所述第一可控开关管为金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;

则所述MOSFET的栅极作为所述第一可控开关管的控制端,所述MOSFET的源极作为所述第一可控开关管的输入端,所述MOSFET的漏极作为所述第一可控开关管的输出端。

优选地,所述继电器开出模块包括预定数目个继电器控制回路,所述继电器控制回路包括上拉电阻模块、驱动模块、继电器线圈和与所述继电器线圈并联的续流模块;

所述上拉电阻模块的第一端与所述驱动模块的输入端连接,其公共端作为所述继电器开出模块的输入端,所述上拉电阻模块的第二端与所述驱动模块的控制端连接,其公共端与所述控制模块连接,所述驱动模块的输出端与所述继电器线圈的第一端连接,所述继电器线圈的第二端接地。

优选地,所述驱动模块为第一NPN型三极管;

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