[发明专利]非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法

说明书

根据本申请的实施例，各种实施例提供具有改进的栅极结构的闪存及其制造方法。闪存包括多个存储器单元，多个存储器单元包括存储器栅极、选择栅极、栅极介电层以及形成在栅极介电层的上表面上的保护盖。保护盖保护栅极介电层，并防止存储器和选择栅极通过导电材料无意地彼此电连接。根据本申请的实施例，还提供了非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。

技术领域

本申请的实施例涉及半导体领域，并且更具体地，涉及非易失性存储器、半导体器件以及形成半导体器件的方法。

背景技术

闪存是非易失性计算机存储介质，可以通过电子方式重新编程和删除。闪存通常包括存储器单元阵列，存储器单元阵列存储表示数据位的电荷。

闪存与其他类型的存储器相比具有许多优点。例如，金属氧化物氮氧化硅(MONOS)闪存提供高速编程和删除、具有良好的耐久性和保存性、使用面积相对较小并具有高密度。因此，闪存被用于各种应用，例如汽车应用。

发明内容

根据本申请的实施例，提供了一种非易失性存储器，包括：衬底；第一栅极，位于所述衬底上；第二栅极，位于所述衬底上；栅极介电层，位于所述第一栅极和所述第二栅极之间；以及保护盖，位于所述栅极介电层上并且位于所述第一栅极和所述第二栅极之间。

根据本申请的实施例，提供了一种半导体器件，包括：衬底；以及存储器，包括多个存储器单元，所述多个存储器单元中的每一个包括：源极区，位于所述衬底中；漏极区，位于所述衬底中；存储器栅极，位于所述衬底上并且位于所述源极区和所述漏极区之间；选择栅极，位于所述衬底上并且位于所述源极区和所述漏极区之间；介电层，位于所述存储器栅极和所述选择栅极之间；以及保护盖，位于所述介电层上并且位于所述存储器栅极和所述选择栅极之间。

根据本申请的实施例，提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底上形成第一导电层；在所述衬底上形成介电层；在所述介电层上形成第二导电层；通过去除所述介电层的部分，在所述第一导电层和所述第二导电层之间形成腔；以及在所述介电层上和所述腔中形成保护层。

附图说明

根据具体描述结合附图可以更好地理解本发明的各个方面。应注意，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。事实上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据一些实施例的存储器的截面图。

图2至图8是根据一些实施例的说明制造闪存的方法的截面图。

具体实施方式

为了实施所提供主题的不同部件，以下公开提供了许多不同的实施例或示例。以下描述元件和布置的特定示例以简化本公开。当然这些仅仅是示例而不打算限定。例如，以下描述中第一部件形成在第二部件上可以包括其中第一和第二部件以直接接触形成的实施例，并且还可以包括其中额外的部件形成插入到第一和第二部件中的实施例，使得第一和第二部件不直接接触。再者，本公开可以在各个示例中重复参照数字和/或字母。该重复是为了简单和清楚，而且其本身没有规定所讨论的各种实施例和/或结构之间的关系。

另外，诸如“在…下面”、“在…下方”、“下”、“在…上方”、“上”等空间相对术语在本文中可以用于描述如附图所示一个元件或部件与另一个元件或部件的关系。除了图中描述的方位外，这些空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。器件可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且对本文中使用的空间相对位置描述符进行同样的解释。

如前面所讨论的，闪存与其他类型的存储器相比具有许多优点，并且用于各种应用。然而，通常难以将闪存集成到标准逻辑器件制造工艺中，因为闪存在随后的制造工艺期间往往会被损坏。例如，具有分离栅极存储器单元的闪存通常包括在其栅极之间形成的介电层。在制造期间，介电层可能被损坏，并且栅极可能无意地彼此电耦合。因此，闪存可能遭受栅极之间的电流泄漏的损害，并且停止正常工作。