[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一电磁膜，部分所述第一电磁膜表面具有隧道层、以及位于隧道层表面的第二电磁层；

在所述第一电磁膜表面、隧道层侧壁表面以及第二电磁层侧壁表面和顶部表面形成第一介质膜；

在位于第二电磁层顶部的所述第一介质膜表面形成第二介质层，且所述第二介质层和第一介质膜的材料不同；

采用第一刻蚀工艺，回刻蚀所述第一介质膜，直至暴露出第一电磁膜表面，在所述隧道层侧壁表面、以及第二电磁层顶部表面和侧壁表面形成第一介质层，且所述第一刻蚀工艺对第一介质膜的刻蚀速率大于对第二介质层的刻蚀速率；

以所述第一介质层和第二介质层为掩膜，刻蚀所述第一电磁膜，直至暴露出基底表面，形成第一电磁层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的形成方法包括：在所述第一介质膜表面形成第二介质膜，且所述第二介质膜的材料和第一介质膜的材料不同；在所述第二介质膜表面形成牺牲层，且所述牺牲层暴露出第二介质膜顶部表面；对暴露出的第二介质膜进行改性处理，使位于第一介质膜顶部表面的第二介质膜形成第二介质层，所述第二介质层和位于第一介质膜侧壁表面的第二介质膜的材料不同；形成所述第二介质层之后，采用第二刻蚀工艺去除所述牺牲层；去除所述牺牲层之后，采用第三刻蚀工艺去除位于第一介质膜侧壁表面的第二介质膜。

3.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述改性处理的方法包括：对所述暴露出的第二介质膜顶部表面进行等离子体处理，形成所述第二介质层。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质膜的材料包括：金属氮化物、金属氧化物或者金属碳化物。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述金属氮化物包括：氮化铝、氮化镁或者氮化银；所述金属氧化物包括：氧化铝、氧化镁或者氧化银；所述金属碳化物包括：碳化钨。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述等离子体处理的工艺参数包括：采用的气体具有还原性；所述气体包括含氢气体或者氦气、一化氧碳或者一氧化硫。

7.如权利要求1或者6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的材料包括：金属材料；所述金属材料包括：铝、钨、镁或者银。

8.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第二介质膜的工艺包括：化学气相沉积、物理气相沉积或者原子层沉积；所述化学气相沉积、物理气相沉积或者原子层沉积的工艺参数包括：温度范围为20摄氏度～250摄氏度。

9.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺的包括：干法刻蚀工艺、湿法刻蚀工艺或者灰化工艺。

10.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺对第二介质层的刻蚀速率小于对第二介质膜的刻蚀速率。

11.如权利要求10述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀工艺为湿法刻蚀工艺；所述湿法刻蚀工艺的参数包括：采用的刻蚀溶液包括稀硫酸溶液或者稀氢氧化钾溶液。

12.如权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法包括：在所述第二介质膜表面形成牺牲膜，且所述牺牲膜的顶部表面高于第二介质膜顶部表面；平坦化所述牺牲膜，直至暴露出第二介质膜顶部表面，形成所述牺牲层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲膜的材料和第二介质膜的材料不同；所述牺牲膜的材料包括：无定形硅、无定形碳、多晶硅、氧化硅、含碳氧硅化物或者含碳氢氧硅化物。