[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910887766.9 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110600519B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 任锦宇;孙双;周婷婷;张方振;彭宽军 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;刘伟 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
第一衬底基板,包括相背设置的第一侧和第二侧,在所述第一衬底基板上设有呈阵列分布的多个像素单元,每一所述像素单元至少包括第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽间隔设置于所述第一衬底基板的第一侧,所述第三凹槽设置在所述第一衬底基板的第二侧,且所述第三凹槽对应所述第一凹槽和所述第二凹槽之间的间隙设置;
设置在所述第一凹槽内的第一发光层;
设置在所述第二凹槽内的第二发光层;
设置在所述第三凹槽内的第三发光层;
及,设置于所述第一衬底基板的所述第一侧的第一电极层,所述第一电极层覆盖于所述第一发光层和所述第二发光层之上;
在所述第一凹槽和所述第二凹槽的内侧底部设置有第一导电层,在所述第一衬底基板的第二侧、对应所述第一凹槽和所述第二凹槽的外侧底部位置还设有第二导电层,且在所述第一凹槽和所述第二凹槽的底部开设第一过孔,所述第一导电层和所述第二导电层通过所述第一过孔连接;
在所述第三凹槽的内侧底部设有第三导电层,在所述第一衬底基板的第一侧、对应所述第三凹槽的外侧底部位置还设有第四导电层,且在所述第三凹槽的底部开设第二过孔,所述第三导电层和所述第四导电层通过所述第二过孔连接,所述第一电极层覆盖在所述第四导电层、所述第一发光层和所述第二发光层的远离所述第一衬底基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
在所述第一衬底基板的所述第二侧还设置有第二电极层,所述第二电极层覆盖于所述第三发光层和所述第二导电层的远离所述第一衬底基板的一侧。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述第一电极层为阴极层,所述第二电极层为阳极层。
4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,
所述显示基板还包括背板,所述背板包括:第二衬底基板,及设置在所述第二衬底基板之上的驱动TFT及像素电路,其中所述第二电极层设置在所述背板的驱动TFT及像素电路的远离所述第二衬底基板的一侧。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,
所述第一衬底基板为透明树脂基板;
或者,所述第一衬底基板包括:玻璃基板;及,分别设置在所述玻璃基板的相对两侧表面上的第一透明树脂层和第二透明树脂层;其中,所述第一凹槽和所述第二凹槽开设于所述第一透明树脂层上,所述第三凹槽开设于所述第二透明树脂层上。
6.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至5中任一项所述的显示基板。
7.一种显示基板的制造方法,其特征在于,包括:
制作第一衬底基板,在所述第一衬底基板的第一侧形成有第一凹槽和第二凹槽,在所述第一衬底基板的第二侧形成有第三凹槽;
在所述第一凹槽内沉积第一发光层,在所述第二凹槽内沉积第二发光层,在所述第三凹槽内沉积第三发光层;
在所述第一衬底基板的第一侧形成第一电极层,在所述第一衬底基板的第二侧形成第二电极层;
所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一电极层,在所述第一衬底基板的第二侧形成第二电极层之前,所述方法还包括:
在所述第一凹槽、所述第二凹槽的底部形成第一过孔,在所述第三凹槽的底部形成第二过孔;
在所述第一凹槽和所述第二凹槽的内侧底部形成第一导电层,在所述第三凹槽的内侧底部形成第三导电层;
在所述第一衬底基板的第二侧、对应所述第一凹槽和所述第二凹槽的外侧底部位置形成第二导电层,且所述第一导电层和所述第二导电层通过所述第一过孔连接;
在所述第一衬底基板的第一侧、对应所述第三凹槽的外侧底部位置形成第四导电层,且所述第四导电层和所述第三导电层通过所述第二过孔连接。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,
所述第一衬底基板选用透明树脂基板时,
所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一凹槽和第二凹槽,在所述第一衬底基板的第二侧形成第三凹槽,具体包括:
提供第一衬底基板;
在所述第一衬底基板的第一侧表面涂覆第一光刻胶;
采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光,使得所述第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶未保留区域对应于第一凹槽、第二凹槽的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的第一光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺,刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板,剥离剩余的第一光刻胶,形成第一凹槽和第二凹槽的图形;
将所述第一衬底基板翻转;
在所述第一衬底基板的第二侧表面上涂覆第二光刻胶,采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光,使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶未保留区域对应于第三凹槽的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一衬底基板,剥离剩余的第二光刻胶,形成第三凹槽的图形;
所述第一衬底基板选用玻璃基板时,所述在所述第一衬底基板的第一侧形成第一凹槽和第二凹槽,在所述第一衬底基板的第二侧形成第三凹槽,具体包括:
提供第一衬底基板;
在所述第一衬底基板的第一侧表面涂覆第一透明树脂层;
在所述第一透明树脂层上涂覆第一光刻胶;
采用掩模板对所述第一光刻胶进行曝光,使得第一光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶未保留区域对应于第一凹槽、第二凹槽的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的第一光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺,刻蚀掉光刻胶未保留区域的第一透明树脂层,剥离剩余的第一光刻胶,形成第一凹槽和第二凹槽的图形;
将所述第一衬底基板翻转;
在所述第一衬底基板的第二侧表面上涂覆第二透明树脂层;
在所述第二透明树脂层上涂覆第二光刻胶,采用掩膜板对第二光刻胶进行曝光,使得第二光刻胶形成光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域,其中,光刻胶未保留区域对应于第三凹槽的图形所在区域,光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域;进行显影处理,光刻胶未保留区域的第二光刻胶被完全去除,光刻胶保留区域的第二光刻胶厚度保持不变;通过刻蚀工艺刻蚀掉光刻胶未保留区域的第二透明树脂层,剥离剩余的第二光刻胶,形成第三凹槽的图形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的