[发明专利]电磁辐射干扰发生装置及试验方法

权利要求书

1.一种电磁辐射干扰发生装置，其特征在于：包括单片机U1、高频变压器TR1、降压稳压器U2、金属屏蔽罩F1，单片机U1的XTAL1引脚和XTAL2引脚分别经电容C1、电容C2连通后接地，XTAL1引脚和XTAL2引脚之间并联有晶振X1，单片机U1的RST引脚经电容C3接地，电阻R1的一端连接到RST引脚和电容C3之间，电阻R1的另一端分别连接到降压稳压器U2的VO引脚和LS1蜂鸣器的正极(1号引脚)，LS1蜂鸣器的负极(2号引脚)连接到单片机U1的P1.7引脚，降压稳压器U2的GND引脚接地，降压稳压器U2的VI引脚经按钮开关K1连接到第一电源；单片机U1的P3.4/T0引脚经按钮开关K2接地，单片机U1的P3.7/RD引脚经按钮开关K3接地；单片机U1的P2.5/A13引脚连接MOS管Q1的G端栅极，MOS管Q1的S端源极连接功率地，高频变压器TR1的初级线圈的一端连接到电源，初级线圈的另一端连接到MOS管Q1的D端漏极，高频变压器TR1的次级线圈的一端经二极管D1连接到灯LAMP的一端，灯LAMP的另一端与次级线圈另一端连接，灯LAMP的另一端还连接功率地，金属屏蔽罩F1连接模拟地，单片机U1、晶振X1、电容C1、电容C2、电阻R1、电容C3和降压稳压器U2被笼罩在金属屏蔽罩F1的内部。

2.根据权利要求1所述的一种电磁辐射干扰发生装置，其特征在于：装置还包括接插件J1，接插件J1包括1号、2号、3号、4号四个引脚，降压稳压器U2的VI引脚经按钮开关K1连接到接插件J1的1号引脚，接插件J1的1号引脚再连接到电源的正极，接插件J1的2号引脚接地，高频变压器TR1的初级线圈的一端经接插件J1的3号引脚连接到电源的正极，接插件J1的2号引脚连接到电源的负极。

3.根据权利要求1所述的一种电磁辐射干扰发生装置，其特征在于：所述的二极管D1(UF4007)为功率整流二极管，MOS管Q1(IRFP460A)为功率MOS管，降压稳压器U2(7805)的输出电压为5V，按钮开关K1为不回位开关，按钮开关K2、K3为回位开关，灯LAMP为气体放电灯。

4.根据权利要求1所述的一种电磁辐射干扰发生装置，其特征在于：所述的单片机U1型号为80C51，降压稳压器U2的型号为7805。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种电磁辐射抗干扰试验方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：将等待进行抗干扰试验的待测控制器连接到第二电源，再用CAN(差分信号)线将待测控制器与计算机连接；

步骤二：将电磁辐射干扰发生装置放置在距离待测控制器的已知距离处，按下按钮开关K1启动电磁辐射干扰发生装置，通过按钮开关K2设置灯LAMP的触发间隔时间，使得灯LAMP按照触发间隔时间进行点亮，灯LAMP点亮过程中向周围空间释放电磁能量并形成干扰信号，计算机采集待测控制器在受到干扰信号作用下的测试数据；

步骤三：若测试数据与标准数据的误差在预定范围内，则判断该次测试数据正常，进入下一步骤；否则判断待测控制器未通过抗干扰试验；

步骤四：通过改变电磁辐射干扰发生装置与待测控制器之间的距离或高频变压器TR1的匝数比改变干扰信号的强度，再重复步骤二和三直至所有测试数据均正常，则判断待测控制器已通过抗干扰试验。

6.根据权利要求5所述的一种电磁辐射抗干扰试验方法，其特征在于：

步骤四中改变干扰信号的强度具体通过以下方式中的一种：

通过逐步增大高频变压器TR1的初级线圈与次级线圈匝数比，使得干扰信号的强度逐渐增大；

或者通过逐步减小电磁辐射干扰发生装置与待测控制器之间的距离，使得干扰信号的强度逐渐增大；

再或者是保持电磁辐射干扰发生装置与待测控制器之间的距离不变，利用干扰检测仪标定匝数比与干扰信号的强度之间的关系，再根据标定关系确定干扰信号的强度；

再或者是保持匝数比不变，利用干扰检测仪标定电磁辐射干扰发生装置与待测控制器之间距离与干扰信号强度之间的关系，再根据标定关系确定干扰信号的强度。