[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成若干相互分立的磁隧道结，且所述磁隧道结侧壁表面具有损伤层；

在所述基底表面、磁隧道结顶部表面以及损伤层顶部表面形成第一介质膜；

形成所述第一介质膜之后，采用第一刻蚀工艺，去除所述损伤层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述磁隧道结包括：位于部分基底上的下层电磁层、位于下层电磁层表面的绝缘层、以及位于绝缘层表面的上层电磁层。

3.如权利要求1或者2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底和磁隧道结的形成方法包括：提供初始基底；在所述初始基底上形成下层电磁膜；在所述下层电磁层表面形成绝缘膜；在所述绝缘膜表面形成上层电磁膜；在所述上层电磁膜表面形成掩膜层，所述掩膜层覆盖部分上层电磁膜表面；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述上层电磁膜、绝缘膜、下层电磁膜以及部分初始基底，形成所述基底和所述磁隧道结。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第二刻蚀工艺，以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述上层电磁膜、绝缘膜、下层电磁膜以及部分初始基底；所述第二刻蚀工艺包括：反应离子刻蚀或者离子束刻蚀。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述基底包括衬底和位于衬底表面的电极层；所述电极层的材料包括：钛、钽、铂、铜、钨、铝、氮化钛、氮化钽和硅化钨中的一种或者几种组合。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述第一介质膜的过程中，在所述损伤层侧壁表面形成第二介质膜，且所述第一介质膜在垂直于基底表面方向上具有第一尺寸，所述第二介质膜在垂直于磁隧道结侧壁表面方向上，所述第一尺寸大于所述第二尺寸；所述第一刻蚀工艺还包括：去除所述第二介质膜；去除所述第二介质膜之后，去除所述损伤层。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质膜的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或者氮氧化硅。

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二介质膜的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或者氮氧化硅。

9.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质膜的工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者气体团簇离子束沉积工艺；形成所述第二介质膜的工艺包括：化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者气体团簇离子束沉积工艺。

10.如权利要求9所述的磁隧道结的形成方法，其特征在于，形成所述第一介质膜和第二介质膜的工艺为气体团簇离子束沉积工艺；所述气体团簇离子束沉积工艺的参数包括：通入的气体包括SiH₄、Si₂H₆、Si₂H₂Cl₂、SiCl₃H、SiC₄H₁₂或者SiF₄，还可以包括稀释气体，例如，N₂、NH₃、NF₃、NO、N₂O或者C_XH_Y，其中x为大于1的自然数，y为大于1的自然数，离子能量为130电子伏～1000电子伏，角度范围为60度～90度。

11.如权利要求1或者6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用第一刻蚀工艺，去除所述损伤层的过程中，还刻蚀所述第一介质膜，在所述基底表面和磁隧道结顶部表面形成第一介质层。