[发明专利]一种IGBT保护芯片

权利要求书

1.一种IGBT保护芯片，其特征在于：输入端（IN）通过串联的第一电阻（R1）和第二电阻（R2）连接至第一运放（A1）的正向输入端，第一运放（A1）的正向输入端通过第一电容（C1）接地，第一运放（A1）的反向输入端通过第三电阻（R3）接地，第一运放（A1）的反向输入端通过第四电阻（R4）连接至第一运放（A1）的输出端，第一电阻（R1）和第二电阻（R2）之间通过第二电容（C2）连接至第一运放（A1）的输出端，第一运放（A1）的输出端通过串联的第五电阻（R5）和第六电阻（R6）连接至第一三极管（Q1）的集电极，第五电阻（R5）和第六电阻（R6）之间通过第三电容（C3）连接至第一三极管（Q1）的基极，第一三极管（Q1）的发射极通过第七电阻（R7）接地，第一三极管（Q1）的集电极连接至输出端（OUT）。

2.根据权利要求1所述的IGBT保护芯片，其特征在于：所述第一三极管（Q1）的发射极通过第四电容（C4）连接至第二运放（A2）的反向输入端，第二运放（A2）的正向输入端通过第八电阻（R8）接地，第二运放（A2）的反向输入端通过第九电阻（R9）连接至第二运放（A2）的输出端；输入端（IN）与第一电阻（R1）之间连接有反馈模块，反馈模块包括第三运放（A3），第三运放（A3）的反向输入端通过第十电阻（R10）接地，第三运放（A3）的反向输入端通过第十七电阻（R17）连接至第三运放（A3）的输出端，第三运放（A3）的正向输入端通过第十一电阻（R11）连接至第二运放（A2）的输出端，第三运放（A3）的正向输入端通过第十二电阻（R12）连接至输入端（IN），第三运放（A3）的正向输入端通过第十三电阻（R13）接地，第三运放（A3）的输出端与第一电阻（R1）连接。

3.根据权利要求2所述的IGBT保护芯片，其特征在于：所述第三运放（A3）的输出端通过串联的第十四电阻（R14）和第五电容（C5）接地，第十四电阻（R14）和第五电容（C5）之间连接至第二三极管（Q2）的集电极和基极，第二三极管（Q2）的发射极通过第六电容（C6）接地。

4.根据权利要求3所述的IGBT保护芯片，其特征在于：所述输出端（OUT）连接至第三三极管（Q3）的集电极，第三三极管（Q3）的集电极通过第十五电阻（R15）连接至第一三极管（Q1）的集电极，第一三极管（Q1）的集电极通过串联的第十六电阻（R16）和第七电容（C7）接地，第十六电阻（R16）和第七电容（C7）之间连接至第三三极管（Q3）的基极，第三三极管（Q3）的发射极接地。