[发明专利]静电吸盘系统、成膜装置、被吸附体分离方法、成膜方法及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种静电吸盘系统，其特征在于，

该静电吸盘系统包括：

静电吸盘，包括电极部；

电压施加部，用于对所述静电吸盘的所述电极部施加电压；以及

电压控制部，用于控制基于所述电压施加部的电压施加，

所述电压控制部控制所述电压施加部，以对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的电极部，依次施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1电压和用于使所述第1被吸附体从所述电极部分离的第2电压。

2.根据权利要求1所述的静电吸盘系统，其特征在于，

所述第1电压是在维持在所述电极部上吸附有第1被吸附体的状态下仅使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的电压。

3.根据权利要求2所述的静电吸盘系统，其特征在于，

所述第1电压大于所述第2电压。

4.根据权利要求3所述的静电吸盘系统，其特征在于，

所述第2电压是零电压、或者是与使所述第1被吸附体及所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘时的吸附电压相反极性的电压。

5.一种成膜装置，是用于隔着掩模对基板进行成膜的成膜装置，其特征在于，

该成膜装置包括用于吸附作为第1被吸附体的基板和作为第2被吸附体的掩模的静电吸盘系统，

所述静电吸盘系统是权利要求1～4中任一项所述的静电吸盘系统。

6.一种分离方法，是用于从包括电极部在内的静电吸盘的所述电极部分离被吸附体的方法，其特征在于，

该分离方法包括：

对吸附有第1被吸附体并隔着所述第1被吸附体吸附有第2被吸附体的所述静电吸盘的电极部，施加用于使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的第1电压的阶段；以及

在所述第1电压的施加阶段之后，对所述电极部施加用于使所述第1被吸附体从所述电极部分离的第2电压的阶段。

7.根据权利要求6所述的分离方法，其特征在于，

所述第1电压是在维持在所述电极部上吸附有第1被吸附体的状态下仅使所述第2被吸附体从所述第1被吸附体分离的电压。

8.根据权利要求7所述的分离方法，其特征在于，

所述第1电压大于所述第2电压。

9.根据权利要求8所述的分离方法，其特征在于，

所述第2电压是零电压、或者是与使所述第1被吸附体及所述第2被吸附体吸附于所述静电吸盘时的吸附电压相反极性的电压。

10.一种成膜方法，是隔着掩模使蒸镀材料在基板上成膜的方法，其特征在于，

该成膜方法包括：

向真空容器内搬入掩模的阶段；

向真空容器内搬入基板的阶段；

对静电吸盘的电极部施加第1吸附电压，使所述基板吸附于静电吸盘的阶段；

对所述电极部施加第2吸附电压，隔着所述基板将所述掩模吸附于所述静电吸盘的阶段；

在所述基板和所述掩模吸附于所述静电吸盘的状态下，使蒸镀材料蒸发，隔着所述掩模使蒸镀材料在所述基板上成膜的阶段；以及

使用权利要求6～9中任一项所述的分离方法，从所述静电吸盘将作为第2被吸附体的所述掩模和作为第1被吸附体的所述基板依次分离的阶段。

11.一种电子器件的制造方法，其特征在于，

使用权利要求10所述的成膜方法来制造电子器件。