[发明专利]有多种纠错功能的存储器器件和存储器系统及其操作方法

说明书

提供了有多种纠错功能的存储器器件和存储器系统及其操作方法。所述存储器系统包括：存储器单元阵列，包括第一存储器区域和第二存储器区域；输入/输出电路，包括输入/输出线，其用于向第一存储器区域和第二存储器区域发送或从第一存储器区域和第二存储器区域接收数据位和奇偶校验位；和纠错电路，包括多个子纠错电路，该多个子纠错电路包括第一子纠错电路和第二子纠错电路，其中第一子纠错电路用于对通过输入/输出线接收的第一存储器区域的第一数据位执行第一纠错操作，第二子纠错电路用于对通过输入/输出线接收的第二存储器区域的第二数据位执行第二纠错操作。第一存储器区域具有比第二存储器区域更高的误码率。

相关申请的交叉引用

于2018年9月21日在韩国知识产权局提交并且标题为“具有多种纠错功能的存储器器件和存储器系统及其操作方法”的韩国专利申请NO.10-2018-0114183，通过引用整体并入本文。

技术领域

示例实施例涉及存储器器件，更具体地，涉及能够执行离散纠错功能或多种纠错功能的存储器器件及其操作方法。

背景技术

对具有高电容和低功耗的存储器器件的需求已迅速增加。为了满足这些需求，已经对非易失性的并且不需要存储器刷新的下一代存储器器件进行了研究。这种下一代存储器器件已经需要具有以下特性：例如，动态随机存取存储器(dynamic random-accessmemory，DRAM)的高完整性、快闪存储器的非易失性、静态RAM(random access memory，随机存取存储器)(static RAM，SRAM)的高速度等。例如，下一代存储器器件可以包括磁RAM(magnetic RAM，MRAM)、相变RAM(phase-change RAM，PRAM)、纳米浮栅存储器(nano-floating gate memory，NFGM)、聚合物RAM(polymer RAM，PoRAM)、铁电RAM(ferroelectricRAM，FeRAM)和电阻RAM(resistive RAM，RRAM)，它们满足上述要求。

此外，用于制造存储器器件的工艺规模(process scale)已经显著减小，以增加存储器器件的完整性和密度。随着工艺规模减小，存储器器件中数据的误码率已迅速增加，因此已经需要用于解决高误码率的纠错码(error correction code，ECC)。

发明内容

实施例针对一种存储器系统，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器区域，该多个存储器区域包括第一存储器区域和第二存储器区域；输入/输出电路，包括输入/输出线，用于向多个存储器区域发送或从多个存储器区域接收数据位和奇偶校验位；以及纠错电路，包括多个子纠错电路，该多个子纠错电路包括用于对通过输入/输出线接收的第一存储器区域的第一数据位执行第一纠错操作的第一子纠错电路和用于对通过输入/输出线接收的第二存储器区域的第二数据位执行第二纠错操作的第二子纠错电路，其中第一存储器区域具有比第二存储器区域更高的误码率。

实施例针对一种包括存储器器件的存储器系统的操作方法，该方法包括：通过使用第一子纠错电路，对通过与第一存储器区域相对应的输入/输出线要存储在第一存储器区域中的或者要从第一存储器区域读取的第一数据执行第一纠错操作；以及通过使用第二子纠错电路，对通过与第二存储器区域相对应的输入/输出线要存储在第二存储器区域中的或者要从第二存储器区域读取的第二数据执行第二纠错操作，其中，第一存储器区域包括当对存储器器件执行高温工艺时具有高于存储器单元的操作温度的温度的存储器区域。