[发明专利]一种防止反溅液体污染基板的装置及方法在审
申请号: | 201910891034.7 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN112542397A | 公开(公告)日: | 2021-03-23 |
发明(设计)人: | 陈兴隆;郑云龙 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 白振宇 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 防止 液体 污染 装置 方法 | ||
1.一种防止反溅液体污染基板的装置,包括电机、承载台、升降CUP、喷嘴及摆臂,其中电机的输出端与承载台相连、驱动承载台旋转,该承载台上放置有随承载台旋转的基板,所述电机外围设有可升降的升降CUP;所述喷嘴通过摆臂的带动在升降CUP内侧与外侧之间移动,该喷嘴连接有进液管路B,通过所述进液管路B向喷嘴输送对基板进行工艺处理的液体B;其特征在于:所述喷嘴(4)上安装有防溅罩(6),该防溅罩(6)的上端与喷嘴(4)相连,下端为开放结构,所述防溅罩(6)上开设有至少一个进液管(7),进液管(7)连接有进液管路A,通过该进液管路A向所述防溅罩(6)内部输送液体A,液体A在防溅罩(6)的内表面形成有液体膜(11);所述喷嘴(4)向基板(12)表面喷洒液体B,在基板(12)表面形成反溅的液体B反溅至所述液体膜(11),并随液体膜(11)流到基板(12)表面,随基板(12)的旋转脱离基板(12)。
2.根据权利要求1所述防止反溅液体污染基板的装置,其特征在于:所述进液管(7)的轴向与防溅罩(6)的切向相同,进入的液体A沿防溅罩(6)的切向流入,并在离心力的作用下在所述防溅罩(6)的内表面形成连续不间断的液体膜(11)。
3.根据权利要求2所述防止反溅液体污染基板的装置,其特征在于:所述进液管(7)开设在防溅罩(6)的上端,所述液体膜(11)完全覆盖防溅罩(6)的内表面。
4.根据权利要求2所述防止反溅液体污染基板的装置,其特征在于:所述防溅罩(6)的轴向截面为矩形或梯形,该防溅罩(6)的径向截面为圆形或椭圆形。
5.根据权利要求1所述防止反溅液体污染基板的装置,其特征在于:所述进液管路A(9)上安装有调节液体A流速的调速阀(8),或者,所述进液管(7)处安装有调速阀(8),所述进液管路A(9)通过该调速阀(8)与进液管(7)相连通。
6.根据权利要求1所述防止反溅液体污染基板的装置,其特征在于:所述防溅罩(6)的下端端部高于基板(12),且该防溅罩(6)的下端端部位于所述喷嘴(4)下端端部的下方。
7.一种权利要求1至6任一权利要求所述防止反溅液体污染基板的方法,其特征在于:所述基板(12)位于承载台(2)上,随承载台(12)在电机(1)的驱动下旋转,所述喷嘴(4)在摆臂(5)的带动下移动至基板(12)的上方;液体A经所述进液管(7)进入防溅罩(6)内,并在离心力的作用下在所述防溅罩(6)的内表面形成液体膜(11),该液体膜(11)向下流到所述基板(12)的表面,随基板(12)的旋转而脱离基板(12);
液体B(10)通过所述喷嘴(4)喷洒至基板(12)的表面上,对基板(12)进行工艺处理,并随所述基板(12)的旋转而脱离基板(12);在液体B(10)喷洒过程中,由所述基板(12)表面形成反溅的液体B(10)反溅至防溅罩(6)内表面的液体膜(11),并随该液体膜(11)流至基板(12)的表面,再随基板(12)的旋转而脱离基板(12)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造