[发明专利]一种磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910891147.7 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110607510A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 章嵩;涂溶;张联盟 | 申请（专利权）人： | 气相科技(武汉)有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/18;C23C14/02 |
| 代理公司： | 42102 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 崔友明;官群 |
| 地址： | 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区理*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 薄膜 非晶金属 沉积 制备 致密 有效防止金属 磁控溅射仪 电化学腐蚀 非晶态金属 抗腐蚀材料 氩气 表面清洗 表面形成 衬底表面 磁控溅射 工作气体 工作压强 溅射功率 均匀致密 耐腐蚀性 室内基片 抽真空 钝化膜 基片台 靶材 溅射 海洋 应用 | ||
1.一种磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法，其特征在于，具体步骤如下：
1)衬底的表面清洗：将衬底依次放入丙酮、无水乙醇中超声清洗，然后用去离子水冲洗，再用高纯干燥氮气吹干备用；
2)采用磁控溅射仪在衬底上沉积非晶金属钒薄膜：在磁控溅射仪溅射靶座上安装纯钒靶材，将经步骤1)清洗备用的衬底置于真空室内基片台上，抽真空至2.0×10-4Pa以下，以氩气作为工作气体，控制衬底温度为25±10℃，溅射的工作压强为1.0～2.5Pa，溅射功率为50～100W，靶材到衬底的距离为5～10cm，基片台转速为10～50r/min，在衬底表面沉积得到非晶金属钒薄膜。
2.根据权利要求1所述的磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法，其特征在于，步骤1)所述衬底为氟化锂、金刚石或硅片，衬底厚度范围为10μm～2mm。
3.根据权利要求1所述的磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法，其特征在于，步骤2)所述纯钒靶材纯度为99.999％以上。
4.根据权利要求1所述的磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法，其特征在于，步骤2)所述氩气纯度99.999％以上，氩气流量为10～40sccm。
5.根据权利要求1所述的磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法，其特征在于，步骤2)溅射时间为0.5～24h，溅射时间超过2h时，每溅射2h停止溅射30min。
6.根据权利要求1所述的磁控溅射制备非晶金属钒薄膜的方法，其特征在于，步骤2)真空室内基片台通过循环水冷却。
7.一种根据权利要求1-6任一所述方法制备得到的非晶金属钒薄膜，其特征在于，所述非晶金属钒薄膜厚度为0.1～50μm。
8.一种权利要求7所述的非晶金属钒薄膜作为抗腐蚀材料的应用。
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