[发明专利]具有隔热结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.具有隔热结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括基底(4)、隔热结构(6)、底电极(3)、压电层(2)和顶电极(1)，所述基底(4)上设有凹槽(5)，所述底电极(3)通过隔热结构(6)连接基底(4)，底电极(3)位于凹槽(5)的上方，底电极(3)在凹槽(5)底面所在的平面上的正投影落在凹槽(5)底面上，所述压电层(2)位于底电极(3)上，所述顶电极(1)位于压电层(2)上。

2.如权利要求1所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述凹槽(5)底面面积大于底电极(3)底面面积。

3.如权利要求1所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述隔热结构(6)通过连接底电极(3)的侧面边缘实现底电极(3)与基底(4)的连接。

4.如权利要求3所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述底电极(3)在凹槽(5)底面所在的平面上的正投影全部落在凹槽(5)底面上。

5.如权利要求3所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述隔热结构(6)和底电极(3)的材料相同。

6.如权利要求1所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述隔热结构(6)通过连接底电极(3)下表面实现底电极(3)与基底(4)的连接。

7.如权利要求6所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述底电极(3)在凹槽(5)底面所在的平面上的正投影全部落在凹槽(5)底面上。

8.如权利要求1至7中任意一项所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、提供基底(4)；

S2、在基底(4)上制备凹槽(5)；

S3、利用牺牲层(8)材料填充凹槽(5)得到初始牺牲层(7)，所述初始牺牲层(7)的厚度大于凹槽(5)的深度；

S4、磨平基底(4)上表面和初始牺牲层(7)上表面，得到牺牲层(8)，所述牺牲层(8)上表面和基底(4)上表面位于同一平面内；

S5、在牺牲层(8)上制备底电极(3)和隔热结构(6)；

S6、在底电极(3)上制备压电层(2)；

S7、在压电层(2)上制备顶电极(1)；

S8、腐蚀牺牲层(8)，重新得到凹槽(5)，薄膜体声波谐振器制备完成。

9.如权利要求8所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述S5的具体过程为：采用磁控溅射工艺在牺牲层(8)上同时制备隔热结构(6)和底电极(3)，所述隔热结构(6)和底电极(3)的材料相同，均采用Mo、W、Al、Pt或Ni。

10.如权利要求8所述的具有隔热结构的薄膜体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述S5的具体过程为：采用化学气相沉积法在牺牲层(8)上制备隔热结构(6)，采用磁控溅射工艺在隔热结构(6)上制备底电极(3)；所述隔热结构(6)采用氮化硅、氮化铝或者氧化硅。