[发明专利]基于单色X射线衍射的单晶应力检测方法在审
申请号: | 201910891247.X | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110609047A | 公开(公告)日: | 2019-12-24 |
发明(设计)人: | 陈凯;沈昊;寇嘉伟;朱文欣 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01N23/20 | 分类号: | G01N23/20;G01L1/25;G01L5/00 |
代理公司: | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人: | 覃婧婵 |
地址: | 710049 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衍射峰 单晶样品 单晶 探测器 晶体坐标系 样品坐标系 晶向 倾转 单色X射线衍射 单色X射线 范围选取 入射方向 旋转矩阵 衍射条件 衍射信号 应力检测 可探测 样品台 晶面 重构 转动 采集 承载 检测 重复 | ||
本发明公开了一种基于单色X射线衍射的单晶应力检测方法,方法包括以下步骤:获得待检测单晶的晶向,基于所述晶向建立晶体坐标系,基于承载单晶的样品台建立样品坐标系,获取所述晶体坐标系相对于样品坐标系的旋转矩阵;布置单色X射线的入射方向和用于获得衍射信号的探测器与单晶样品相对位置使得单晶样品的晶面满足衍射条件,计算各衍射峰在空间上的位置,根据探测器可探测范围选取衍射峰,通过转动和倾转单晶样品,探测器采集第二步骤中所选取的衍射峰;通过旋转和倾转样品重构衍射峰以获得所述衍射峰实际2θ值;重复第三步骤至第四步骤,获取单晶样品其他晶面的衍射峰实际2θ值,基于所述衍射峰实际2θ值获得所述单晶的应力张量。
技术领域
本发明属于单晶测量技术领域,特别是一种基于单色X射线衍射的单晶应力检测方法。
背景技术
由于物理性能的各向异性、优良的力学性能等等在各个领域获得应用。然而在单晶的制备、加工和使用中不可避免的会被引入残余应力,此时单晶的使用则会被影响。因此对于单晶材料残余应力的量化至关重要,尤其是航空发动机、电子器件等对精密度、稳定性要求极高的装置。例如,单晶镍基高温合金叶片由于具有高温抗蠕变、高强度等卓越性能在飞机发动机和汽轮机中成为理想的叶片应用材料(T.M.Pollock,Nat.Mater.152016)。然而由于加工过程中残余应力的存在,叶片的失效行为以及服役寿命都将受到影响(Z.Zhang,et al.Mater.Dec.166 2019)。因此对于残余应力的测量获取在单晶叶片的加工使用中能够协助研发人员改进制造工艺、能够协助维修人员及时发现和更换即将失效的叶片。此外,3D打印技术作为目前工业界的研究热点在叶片修复技术中极具潜在利用价值,以往叶片断裂常常意味着整片乃至整个叶片盘的更换,而3D打印可以直接修复失效区,其经济价值不言而喻,同时3D打印也能够协助实现复杂结构的实现。目前对于3D打印修复技术的研究发现残余应力极易在热影响区和枝晶间发生,从而导致裂纹的萌生和晶向的转变(Y.Li,etal.Mater.Dec.150 2018;Y.Li,et al.Appl.Phys.Lett.107 2015)。因此,对于残余应变的测量以及发生机理的研究对于单晶叶片的加工和修复而言都具有重要意义。此外,在半导体行业中,特定方向上的预应力的施加是改善半导体物理性能的常规手段,如使用应变硅提高沟道内载流子迁移率。半导体器件中多使用单晶形式的材料,所以对于单晶中残余应力的测量以及应力张量的获取对于半导体行业同样具有重要性。
目前对于残余应力的测试方式包括常规X射线衍射、同步辐射以及中子衍射,除常规X射线衍射以外,其余两种方式均依赖大科学装置。常规X射线衍射目前主要针对粉晶样品,衍射峰在空间上形成衍射环,探测器容易获取,而后通过追踪衍射峰偏移获取样品应力信息,其优势在于设备易于获得、实验成本低以及测量时间短,实验操作以及实验结果处理均已十分成熟,在工业上应用颇多已经形成一套成熟的检测标准,然而常规X射线存在一定的弊端,其一是有限的能量范围,对于残余应力的测量主要极中在样品表层,深层应力信息则无法获取,其二便是单晶应力由于衍射峰定位以及峰形拟合的困难带来测量的困难。能量范围的难题是常规X射线的固有短板,而第二个问题则能够通过本发明提供的方法结合样品台系统解决。同步辐射X射线白光衍射技术具有高角分辨率、空间分辨率和时间分辨率,有利于获取准确的残余应力信息,包括应力张量以及应力分布,然而同步辐射的弊端在于机时安排紧张、数据量大且分析复杂,不适合大批量、流水线样品检测。而中子辐射相比同步辐射可以获得更深的应力信息,但是和同步辐射同样拥有依赖大科学装置的弊端,机时获取难且单个样品检测耗时更长。
在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明背景的理解,因此可能包含不构成在本国中本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。
发明内容
针对现有技术中存在的问题,本发明提出一种基于单色X射线衍射的单晶应力检测方法,简化检测需求,仅需低的实验室能量级单色X射线便可方便地得到单晶应力。
本发明的目的是通过以下技术方案予以实现,一种基于单色X射线衍射的单晶应力检测方法包括以下步骤:
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