[发明专利]一种静电吸盘及其使用方法在审
申请号: | 201910891452.6 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110600419A | 公开(公告)日: | 2019-12-20 |
发明(设计)人: | 蔡俊晟;胡彬彬 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 静电吸盘 温度控制单元 加热元件 晶圆工艺 温控组件 精细 | ||
1.一种静电吸盘,用于吸附晶圆,其特征在于,包括静电吸盘主体和温控组件,
所述静电吸盘主体具有一吸附面,用于吸附所述晶圆,所述静电吸盘主体具有一中空的内腔,所述内腔分为至少两个温控区域;
所述温控组件的数量与所述温控区域的数量相等,每个所述温控组件包括加热元件、温度传感器和温度控制单元,所述加热元件和所述温度传感器设置于对应的所述温控区域内,所述温度控制单元连接所述温度传感器和所述加热元件,所述温控组件用于调控对应的所述温控区域内的温度,以调控所述静电吸盘主体的所述吸附面的温度。
2.如权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,还包括冷源冷却管路和冷源供应管道,所述冷源冷却管路分布于所述静电吸盘主体的内腔中,用于流通冷源降低所述静电吸盘主体的所述吸附面的温度;所述冷源供应管道与所述冷源冷却管路连通,用于提供冷源,所述加热元件与所述冷源冷却管路之间绝缘分隔。
3.如权利要求2所述的静电吸盘,其特征在于,所述冷源供应管道从所述静电吸盘主体远离所述吸附面的一面连通所述冷源冷却管路。
4.如权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,以所述冷源供应管道与所述冷源冷却管路的连接点为中心,半径大小z为界,把所述内腔分为第一温控区域和第二温控区域,所述第一温控区域的半径小于z,所述第二温控区域的半径大于z,所述第一温控区域和第二温控区域内分别设有所述加热元件和所述温度传感器。
5.如权利要求3所述的静电吸盘,其特征在于,以所述冷源供应管道与所述冷源冷却管路的连接点为中心,半径大小x和y为界,所述内腔分为第一温控区域、第二温控区域和第三温控区域,其中x>y,所述第一温控区域的半径小于y,所述第二温控区域的半径位于x和y之间,所述第三温控区域的半径大于x,所述第一温控区域、第二温控区域和第三温控区域内分别设有所述加热元件和所述温度传感器。
6.如权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述吸附面的面积大于所述晶圆的面积。
7.如权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述加热元件为加热电阻丝。
8.如权利要求1所述的静电吸盘,其特征在于,所述温度控制单元采用PID温度控制器。
9.一种静电吸盘的使用方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:首先将晶圆放置在权利要求1-8任一项所述的所述静电吸盘的吸附面,并在所述温度控制单元上设置工艺所需的温度范围;
S2:所述温度控制单元控制所述加热元件进行升温;
S3:所述温度传感器实时探测吸附于静电吸盘上的晶圆的不同位置的温度,并传送给所述温度控制单元;
S4:若检测到晶圆上某一部位的温度超出或低于S1中设置的温度范围,所述温度控制单元发出指令,调整该部位上的所述加热元件的温度。
10.如权利要求9所述的静电吸盘的使用方法,其特征在于,当所述静电吸盘包括冷源冷却管路和冷源供应管道时,在所述S4步骤中,所述冷源供应管道通入冷源,并流入所述冷源冷却管路中调节温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造