[发明专利]集成电路封装件和形成封装件的方法有效
申请号: | 201910891683.7 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110942999B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 潘志坚;郑礼辉;高金福;卢思维 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/54 | 分类号: | H01L21/54;H01L21/56;H01L23/10;H01L23/24;H01L23/485 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 封装 形成 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,包括:
将多个集成电路器件附接到同一中介层的第一表面,所述集成电路器件由相应的间隙横向分隔开;
在所述间隙中形成填充材料以在所述间隙中形成坝,并且所述中介层的边缘区域没有坝;
在所述集成电路器件和所述中介层之间分配底部填充材料,其中,底部填充材料在所述中介层的所述边缘区域具有沿着所述集成电路器件的填角;
去除所述坝以在所述底部填充材料中形成底部填充间断;以及
用密封剂密封所述集成电路器件,所述密封剂设置在所述底部填充间断中,
所述方法还包括:
在所述中介层的第二表面上形成再分布结构;以及
利用导电连接件将封装衬底附接到所述再分布结构。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述间隙中形成所述填充材料包括:
在所述间隙中分配紫外线可固化树脂;以及
固化所述紫外线可固化树脂以形成所述坝。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,固化所述紫外线可固化树脂包括:
将所述紫外线可固化树脂暴露于紫外光源。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,固化所述紫外线可固化树脂使所述紫外线可固化树脂硬化以形成固体材料。
5.根据权利要求2所述的方法,其中,所述紫外线可固化树脂是丙烯酸酯。
6.根据权利要求1所述的方法,其中,在去除所述坝之后,所述底部填充材料包括沿所述集成电路器件的子集的第一侧的填角,所述第一侧沿着所述中介层的边缘区域设置。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述密封剂沿着所述集成电路器件的子集的第二侧延伸。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述中介层包括:衬底、形成于所述衬底上的互连结构、以及形成于所述衬底中的通孔,其中,所述集成电路器件附接至所述中介层的所述互连结构。
9.一种形成封装件的方法,包括:
将第一集成电路器件和第二集成电路器件附接到同一中介层的第一表面,所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件通过间隙分隔开;
在所述间隙中形成坝,并且所述中介层的边缘区域没有坝;
在所述中介层上形成底部填充物,所述底部填充物具有位于所述第一集成电路器件下方的第一部分,所述底部填充物具有位于所述第二集成电路器件下方的第二部分,所述坝将所述第一部分与所述第二部分物理地分隔开,其中,底部填充材料在所述中介层的所述边缘区域具有沿着所述第一集成电路器件的第一填角;
去除所述坝以形成暴露所述中介层的开口;以及
用密封剂密封所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件,所述密封剂设置在所述开口中,
所述方法还包括:
在所述中介层的第二表面上形成再分布结构;以及
利用导电连接件将封装衬底附接到所述再分布结构。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述坝的宽度小于所述间隙的宽度。
11.根据权利要求9所述的方法,其中,所述坝的宽度等于所述间隙的宽度。
12.根据权利要求9所述的方法,其中,所述坝具有上部和下部,所述上部的宽度小于所述间隙的宽度,所述下部的宽度大于所述间隙的宽度。
13.根据权利要求9所述的方法,其中,所述坝具有锥形侧面,所述坝的锥形侧面与平行于所述中介层的所述第一表面的平面形成锐角。
14.根据权利要求9所述的方法,其中,所述底部填充物沿所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的第一侧延伸,所述第一集成电路器件和所述第二集成电路器件的第二侧没有所述底部填充物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910891683.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电容器
- 下一篇:集成芯片及其形成方法、以及用于读取存取器阵列的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造