[发明专利]一种气缸加压式环刀型修盘器及其清洗抛光垫的方法

说明书

本发明涉及抛光设备技术领域，尤其涉及一种气缸加压式环刀型修盘器，包括：被吸附平台，开设在所述被吸附平台底部外围的环形刀口，及开设在所述被吸附平台底部的导流槽，所述环形刀口的高度为3mm～20mm、宽度为2mm～5mm，且所述环形刀口有0.5*45°～1*45°的倒角。应用于抛光设备、解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题，还具有结构设置简单及结构设置合理等特点。另，本发明还提供了一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法。

技术领域

本发明涉及抛光设备技术领域，尤其涉及一种气缸加压式环刀型修盘器及其清洗抛光垫的方法。

背景技术

化学机械抛光，简称CMP，广泛应用于半导体晶片的生产和集成电路制造工艺，可以在抛光面获得低粗糙度、低缺陷密度的优良平整表面。

CMP抛光技术是：在气缸加压式抛光设备的抛光盘上粘贴特定的抛光垫，抛光垫上方持续供给特定的抛光液，有一到多个陶瓷盘被真空吸附在机器的抛光头上，被抛光材料固定于陶瓷盘下方，被抛光材料的待抛光面与抛光垫和抛光液直接接触，抛光头有气缸加压，施加设置的压力并保持抛光盘匀速旋转进行相应的CMP抛光，抛光后需要对抛光垫进行清洗，以备下一次抛光的进行，及确保抛光质量。

传统的抛光垫的清洗方法，是用塑料刷子进行手动刷洗，后来改进了用塑料刷盘替代，但是清洁效果始终不够好，用水浸泡一个晚上后可明显看到仍有大量白色抛光液磨料扩散到水里，还有一种方法是用水冲洗，但是用水冲洗则会消耗大量的水，不符合企业的生产所需，原因是塑料毛刷为软性弹性材质，在刷洗过程中会弯曲形变，无法对抛光垫里层进行挤压清洗，导致清洗效果乏力，并且毛刷的毛的直径大小有限，无法直接作用于抛光垫的孔，全局性清洗能力低。

如长期不能清洗干净，抛光液的磨料颗粒会堵塞抛光垫的孔，而且内部会充满磨料颗粒导致弹性变差，甚至在不及时保持湿润的情况下，抛光液结晶导致抛光垫硬化，以上情况都不利于CMP抛光，对被抛光材料会造成划痕损伤，同时大大缩短了抛光垫的使用寿命。

发明内容

本发明提供了一种气缸加压式环刀型修盘器，应用于抛光设备、解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题，还具有结构设置简单及结构设置合理等特点。

相应地，本发明还提供了一种气缸加压式环刀型修盘器清洗抛光垫的方法,解决阻尼布抛光垫难以清洗内部、清洗不完全干净等问题。

为了解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案为：

一种气缸加压式环刀型修盘器,包括：被吸附平台，开设在所述被吸附平台底部外围的环形刀口，及开设在所述被吸附平台底部的导流槽，所述环形刀口的高度为3mm～20mm、宽度为2mm～5mm，且所述环形刀口有0.5*45°～1*45°的倒角。

优选地，所述被吸附平台包括：被吸附台，一侧与所述被吸附台连接、且设置在所述被吸附台周侧的侧板面。

优选地，所述被吸附台的厚度与所述侧板面的高度之和为5～20mm，所述被吸附平台表面平整度为2～5丝。

优选地，所述被吸附台呈圆柱体型，所述侧板面的俯视图呈圆环型。

优选地，所述导流槽呈“凵”字型。

优选地，所述导流槽的高度为2～20mm，宽度为5～30mm。

优选地，所述导流槽的数量为小于或等于4个，所述导流槽之间呈等距分布。