[发明专利]检测系统及检测方法在审

专利信息
申请号: 201910892194.3 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN112540082A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 陈鲁;崔高增;黄有为;王天民;马凯;庞芝亮 申请(专利权)人: 深圳中科飞测科技股份有限公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/94
代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 杨胜军
地址: 518110 广东省深圳市龙华区大浪街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 检测 系统 方法
【说明书】:

发明公开了检测系统及方法,所述检测系统包括:检测光生成单元、信号探测单元以及处理单元;检测光生成单元被配置向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;信号探测单元被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;处理单元被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。与现有技术相比,本发明在检测透明膜状结构的表面的过程中具有检测速度快、检测结果精度高等优点。

技术领域

本发明涉及高精度缺陷检测领域,尤其涉及一种检测系统及检测方法。

背景技术

随着现代工业的发展,透明膜状结构越来越多应用到半导体领域,例如硅晶圆上镀膜、玻璃晶圆、玻璃保护膜等。透明芯片也是未来半导体行业发展的重要方向之一。与硅等非透明材料相似的是,透明膜材料上存在的缺陷也将影响其功能,因此,对透明膜材料进行检测是及时发现缺陷、提高半导体良品率、降低成本的重要技术手段。

目前,散射光检测是现有半导体行业进行高精度缺陷检测的主要方法,然而这种方法通常主要针对非透明材料设计,当检测透明材料时,由于透明材料中相对的两个表面均可能存在缺陷,传统方法难以确定散射信号源于该待测透明材料的具体位置。

此外,光学成像法也是半导体缺陷检测的一种常用方法,然而受光学衍射极限的限制,光学成像法仅能检测大约几百纳米尺寸的缺陷,且实现高分辨率检测时速度较慢,难以满足工业应用中高吞吐量的需求。

发明内容

针对上述问题,本发明提出了检测系统及检测方法。

本发明一方面提出了一种检测系统,其包括:

检测光生成单元,被配置为向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;

信号探测单元,被配置为成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及

处理单元,被配置为基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。

本发明另一方面还提出了一种检测方法,其包括:

向待测物发射第二检测光,其中,所述待测物包括相对设置的第一表面和第二表面,所述第二检测光自所述第一表面透过所述待测物并经所述第二表面散射形成第二信号光;

成像式收集所述第二信号光,并根据所述第二信号光生成第二检测信息;以及

基于所述第二检测信息来获取所述第二表面的缺陷信息。

本文所公开的检测系统及检测方法能够对待测物进行扫描式检测,并通过接收待测物的表面的缺陷(例如,污染物)形成的散射光判断该缺陷的有无、位置及尺寸。本发明通过对信号探测单元等部件的设计,确保信号探测单元仅能接收到位于指定表面的待测位置形成的散射光,从而实现对透明膜状结构的多个表面进行缺陷检测。

附图说明

参考附图示出并阐明实施例。这些附图用于阐明基本原理,从而仅仅示出了对于理解基本原理必要的方面。这些附图不是按比例的。在附图中,相同的附图标记表示相似的特征。

图1示出了根据本发明的检测系统的结构示意图;

图2示出了与本发明所公开的检测系统的相关的现有技术示意图;

图3A-3B示出了根据本发明的检测系统的第一示例性结构示意图;

图4A-4B示出了根据本发明的检测系统的第二示例性结构示意图;

图4C示出了根据本发明的检测系统的示例性光位移单元的结构示意图;以及

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