[发明专利]磁性存储器及其编程控制方法、读取方法、磁性存储装置

权利要求书

1.一种磁性存储器，其特征在于，包括：

第一磁隧道结存储单元，其第一端耦接第一位线；

开关器件，其第一端耦接所述第一磁隧道结存储单元的第二端，其控制端接入开关控制信号；

第二磁隧道结存储单元，其第一端耦接第二位线，其第二端耦接所述开关器件的第二端；

第一晶体管，其第一端耦接所述第一磁隧道结存储单元的第二端，其第二端耦接源线，其控制端耦接字线；

第二晶体管，其第一端耦接所述第二磁隧道结存储单元的第二端，其第二端耦接所述源线，其控制端耦接所述字线；

灵敏放大器，其第一输入端耦接所述第一位线，其第二输入端耦接所述第二位线，其输出端输出读出信号。

2.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，所述第一磁隧道结存储单元以及所述第二磁隧道结存储单元的第一端为自由磁化层，所述第一磁隧道结存储单元以及所述第二磁隧道结存储单元的第二端为固定磁化层。

3.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，在写入0或1时，所述第一磁隧道结存储单元与所述第二磁隧道结存储单元的阻态不同。

4.根据权利要求3所述的磁性存储器，其特征在于，在写入0后，所述第一磁隧道结存储单元为低阻态，所述第二磁隧道结存储单元为高阻态；在写入1后，所述第一磁隧道结存储单元为高阻态，所述第二磁隧道结存储单元为低阻态；或者，在写入1后，所述第一磁隧道结存储单元为低阻态，

所述第二磁隧道结存储单元为高阻态；在写入0后，所述第一磁隧道结存储单元为高阻态，所述第二磁隧道结存储单元为低阻态。

5.根据权利要求1所述的磁性存储器，其特征在于，还包括：

第一充电电容，其第一端接地，其第二端耦接所述述第一磁隧道结存储单元的第一端；

第二充电电容，其第一端接地，其第二端耦接所述述第二磁隧道结存储单元的第一端。

6.一种基于权利要求1至5任一项所述的磁性存储器的编程控制方法，其特征在于，包括：

在写入0时，在所述第一位线上施加正电压，并在所述第二位线上施加接地电压；

在编程初始阶段，利用所述开关控制信号控制所述开关器件导通，并利用所述字线控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，以使所述第一磁隧道结存储单元转为低阻态；

在编程第二阶段，利用所述字线控制所述第一晶体管和所述第二晶体管关断，以使所述第二磁隧道结存储单元转为高阻态。

7.一种基于权利要求1至5任一项所述的磁性存储器的编程控制方法，其特征在于，包括：

在写入1时，在所述第一位线上施加接地电压，并在所述第二位线上施加正电压；

在编程初始阶段，利用所述开关控制信号控制所述开关器件导通，并利用所述字线控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，以使所述第一磁隧道结存储单元转为高阻态；

在编程第二阶段，利用所述字线控制所述第一晶体管和所述第二晶体管关断，以使所述第二磁隧道结存储单元转为低阻态。

8.一种基于权利要求1至5任一项所述的磁性存储器的读取方法，其特征在于，包括：

为所述第一位线和所述第二位线进行充电；

利用所述开关控制信号控制所述开关器件关断；

利用所述字线控制所述第一晶体管和所述第二晶体管导通，所述灵敏放大器的读出信号随所述第一位线的电压和所述第二位线的电压的压差不同而不同。

9.一种磁性存储装置，包括权利要求1至5任一项所述的磁性存储器，其特征在于，还包括控制器，所述控制器配置为执行权利要求6或7所述编程控制方法的步骤，或者执行权利要求8所述读取方法的步骤。