[发明专利]一种Micro-LED芯片、封装结构

权利要求书

1.一种Micro-LED芯片，其特征在于，包括：

Micro-LED外延片；以及

位于LED外延片底部的IC电路衬底；IC衬底控制Micro-LED的工作状态；其中，IC电路衬底包括：

IC电路主区域，与所述Micro-LED外延片相键合；

外围连线，位于IC电路主区域且位于所述Micro-LED外延片底部的外围，外围连线上具有输出端；外围连线位于IC电路衬底的顶层；其中，

外围连线具有至少一圈，每一圈外围连线具有各自的引出极。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，外围连线具有至少两圈，每一圈外围连线对应的引出极在同一侧。

3.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片，其特征在于，外围连线具有至少两圈，每一圈外围连线对应的引出极包围在所述Micro-LED外延片周围。

4.根据权利要求1所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED外延片具有间隔排列的LED像素阵列，所有LED像素阵列键合于所述IC电路衬底上。

5.一种权利要求1的Micro-LED芯片的封装结构，其特征在于，包括：

一电路板；所述电路板具有非功能区和电路连接区，非功能区与电路连接区相邻；

所述Micro-LED芯片，位于所述非功能区，且所述Micro-LED芯片的背面与所述电路板的正面接触固定；

一绑定线组，每根绑定线的一端接触连接所述IC电路衬底的引出极，另一端接触连接所述电路板的电路连接区；其中，外围连线具有至少两圈，每一圈外围连线对应的引出极在同一侧；所述电路连接区位于所述Micro-LED芯片的与所述引出极接近的一侧。

6.根据权利要求4所述micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述Micro-LED芯片背面与所述电路板之间粘合固定。

7.根据权利要求5所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述LED外延片具有间隔排列的LED像素阵列，所有LED像素阵列键合于所述IC电路衬底上。

8.根据权利要求4所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述电路连接区的接触极与所述IC电路衬底的引出极一一对应。

9.根据权利要求4所述micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述电路板为柔性电路板。

10.根据权利要求8所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，一加强片设置于所述柔性电路板的背面的非功能区中且与所述Micro-LED芯片相对，所述Micro-LED芯片与所述电路连接区通过所述绑定线组电连。

11.根据权利要求9所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述非功能区包括镂空区域，所述加强片通过镂空区域与所述芯片背面相接触。

12.根据权利要求8所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述加强片的宽度小于所述柔性电路板的宽度，且大于所述Micro-LED芯片的宽度；所述加强片的长度小于所述柔性电路板的长度。

13.根据权利要求8所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述加强片与所述柔性电路板的背面采用热压粘结。

14.根据权利要求8所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述加强片的厚度为0.05～1mm。

15.根据权利要求13所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述柔性电路板的厚度为0.1～0.2mm，所述加强片的厚度为0.1～0.2mm。

16.根据权利要求8所述的micro-LED芯片封装结构，其特征在于，所述加强片的材料为氮化铝、氧化铝、或氮化硅的一种或多种的复合。