[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910893164.4 | 申请日： | 2019-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN110957364A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 杨世海;徐志安;林佑明;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 韩旭;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：
一栅极结构，形成于一半导体层的一表面上，该栅极结构包括：
一介电结构，形成于该半导体层的该表面上；
一金属结构，该金属结构的一底端接触该介电结构的一顶端；以及
一绝缘结构，该绝缘结构的一底端接触该金属结构的一顶端，且该绝缘结构于该金属结构的该顶端之上突出；以及
一间隔结构，配置为在该绝缘结构的该底端下方延伸，且接触该金属结构的一侧壁。
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