[发明专利]单通道荧光免疫分析微流控芯片在审
申请号: | 201910893289.7 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110470604A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 唐勇;廖政 | 申请(专利权)人: | 四川朴澜医疗科技有限公司 |
主分类号: | G01N21/01 | 分类号: | G01N21/01;G01N21/64;G01N33/533;G01N33/543 |
代理公司: | 11471 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘迪<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 610000 四川省成都市温江区成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 混合仓 微流道 捕获 连通 芯片本体 延时通道 反应仓 结合物 生物检测技术 荧光免疫分析 微流控芯片 荧光标记物 检测结果 抗体抗原 曲折流动 外界大气 依次连通 单通道 废液仓 固体状 加注口 通气孔 磁铁 抗原 包被 磁珠 底壁 抗体 吸附 流动 保证 生产 | ||
1.一种单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,包括有芯片本体,所述芯片本体设置有供试样流动的封闭式微流道(3),所述微流道(3)包含有依次连通的混合仓(301)、反应仓(302)、捕获仓(304)和废液仓(305),且所述微流道(3)设置有与外界大气连通的第一通气孔(307)及与所述混合仓(301)连通的试样加注口(306),所述反应仓(302)和所述捕获仓(304)之间设置有连通二者的延时通道(303),所述延时通道(303)呈曲折结构、以供所述试样在所述延时通道(303)内曲折流动,所述混合仓(301)内设置有用于与所述试样发生免疫反应的固体状试剂球(7),所述试剂球(7)包含包被了荧光标记物和磁珠的抗体/抗原,所述捕获仓(304)的底壁上设置有用于吸附与所述抗体抗原发生免疫反应所产生的结合物的磁铁。
2.如权利要求1所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述延时通道(303)设置有多个毛细管道,多个所述毛细管道沿所述反应仓(302)至所述捕获仓(304)的方向排列,且多个所述毛细管道首尾依次连通、以形成呈S形结构的所述延时通道(303)。
3.如权利要求1所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述第一通气孔(307)位于所述反应仓(302)的顶壁上并与所述反应仓(302)连通;还包括有位于所述废液仓(305)的顶壁上并与所述废液仓(305)连通的第二通气孔(310)。
4.如权利要求1所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述捕获仓(304)与所述废液仓(305)之间的第二连通通道(309)的横截面尺寸小于所述捕获仓(304)的横截面尺寸。
5.如权利要求1所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述混合仓(301)与所述反应仓(302)之间设置有第一连通通道(308);所述第一连通通道(308)的横截面积,沿所述混合仓(301)至所述反应仓(302)的方向逐渐减小。
6.如权利要求1所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述芯片本体设置有用于盛放清洗液的清洗液放置仓(4),所述清洗液放置仓(4)与所述反应仓(302)之间设置有注入通道(5)和用于封闭所注入通道(5)的阻隔件。
7.如权利要求6所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述芯片本体包括设置有凹腔的基片(2)和与所述基片(2)相连接的上盖(1),所述上盖(1)将所述凹腔封闭、并形成所述微流道(3)。
8.如权利要求7所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述清洗液放置仓(4)位于所述上盖(1),所述清洗液放置仓(4)设置有供所述清洗液流出的开口(401),所述注入通道(5)位于所述基片(2)上且一端与所述开口(401)连通、另一端与所述反应仓(302)连通,所述阻隔件设置为内置于所述清洗液放置仓(4)且用于包裹所述清洗液的薄膜袋,所述注入通道(5)内设置有伸入所述开口(401)内的用于刺破所述薄膜袋的刺破柱(501)。
9.如权利要求7所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述混合仓(301)及所述反应仓(302)均包括位于所述基片(2)上的第一凹槽和位于所述上盖(1)的下表面的第二凹槽,所述第一凹槽和所述第二凹槽相扣合、形成所述混合仓(301)及所述反应仓(302),所述延时通道(303)位于所述基片(2)上且与所述反应仓(302)的第一凹槽相连通。
10.如权利要求7所述的单通道荧光免疫分析微流控芯片,其特征在于,所述基片(2)的边缘位置设置有插孔(201),所述上盖(1)设置有用于插入所述插孔(201)的连接柱(101),所述连接柱(101)和所述插孔(201)数量相等且一一对应、并沿所述基片(2)的轮廓边缘分布。
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