[发明专利]一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法

权利要求书

1.一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)外延层(2)生长：

a)准备外延层(2)生长材料，并检查各装置运行情况；

b)取GaAs衬底(6)，并在GaAs衬底(6)表面依次生长外延缓冲层、N型砷化镓层、MQW量子阱层、P型AlGaInP层、P型砷化镓层、GaP窗口层，得到带有外延层(2)的晶片；

2)生长ITO膜层(3)，再制备P面电极结构(5)：取带有外延层(2)的晶片，在外延层(2)表面生长ITO膜层(3)，ITO膜层(3)覆盖在整个外延层(2)表面；再在ITO膜层(3)表面制作光刻胶掩膜图形，生长P面电极结构(5)；

3)制备N面电极(1)：取带有P面电极结构(5)的晶片，将晶片的GaAs衬底(6)减薄，并在减薄后的晶片背面生长N面电极(1)；

4)P面蒸镀保护层(4)：取步骤3)处理后的晶片，高真空氛围下，在晶片P面上进行加热蒸发，生长氯化铯薄膜，形成保护层(4)；

5)切割：将带有保护层(4)的晶片贴在带有蓝膜的崩环上，再将崩环放在锯片机内，锯片切割；

6)清洗：切割完成后，再将晶片放置在清洗机内进行表面清洗，扩膜，形成单个独立管芯；

7)结束操作。

2.根据权利要求1所述的一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)外延层(2)生长：

a)准备外延层(2)生长材料，并检查各装置运行情况；

b)取GaAs衬底(6)，并在GaAs衬底(6)表面依次生长外延缓冲层、N型砷化镓层、MQW量子阱层、P型AlGaInP层、P型砷化镓层、GaP窗口层，得到带有外延层(2)的晶片；

2)生长ITO膜层(3)，再制备P面电极结构(5)：取带有外延层(2)的晶片，在外延层(2)表面生长ITO膜层(3)，ITO膜层(3)覆盖在整个外延层(2)表面；再在ITO膜层(3)表面制作光刻胶掩膜图形，生长P面电极结构(5)；

3)制备N面电极(1)：取带有P面电极结构(5)的晶片，将晶片的GaAs衬底(6)减薄，并在减薄后的晶片背面生长N面电极(1)；

4)P面蒸镀保护层(4)：取步骤3)处理后的晶片，N面朝下，P面朝上放置在电子束蒸发台内，高真空氛围下，在晶片P面上进行加热蒸发，生长氯化铯薄膜，形成保护层(4)；其中高真空氛围为1.0E-6Torr及以上，加热蒸发的温度为150℃-280℃，所述保护层(4)的厚度为

5)切割：将带有保护层(4)的晶片贴在带有蓝膜的崩环上，N面朝下，P面朝上；再将崩环放在锯片机内，通过钻石刀进行锯片切割，刀速为30000rpm—45000rpm，切割过程使用去离子水冷却刀轮，其中去离子水的流量为1-2L/MIN，水压为0.2-0.4MPa；

6)清洗：切割完成后，再将晶片放置在清洗机内进行表面清洗，清洗机型号为DCS1440，清洗时间为2-4min，水压为0.2-0.4MPa，载盘转速为2500-3500rpm；再进行扩膜，形成单个独立管芯；

7)结束操作。

3.根据权利要求2所述的一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，其特征在于：所述保护层(4)蒸镀时，首先蒸镀生成第一膜层，所述第一膜层的蒸发速率为厚度为再在第一膜层上蒸镀生成第二膜层，所述第二膜层的蒸发速率为第二膜层的厚度为

4.根据权利要求2所述的一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，其特征在于：所述步骤2)中，ITO膜层(3)的厚度为生长温度为270-330℃。

5.根据权利要求2所述的一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，其特征在于：所述步骤5)中，刀轮进刀刀速为20-60mm/s。

6.根据权利要求2所述的一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，其特征在于：所述步骤3)中，N面电极(1)覆盖整个晶片背面，N面电极(1)为Ni、Ge、Au、Pt中任意一种金属制作的电极结构。

7.根据权利要求2所述的一种表面生长ITO和铝电极的LED晶片切割方法，其特征在于：所述步骤2)中，P面电极结构(5)自下而上包括以Cr、Ni、Ge、Ti、Pt、Au中任意一种金属制作的底层、以Cr、Ni、Ge、Ti、Pt、Au中任意一种金属制作的过渡层，Al顶层主电极。