[发明专利]一种电容器和显示面板

说明书

本发明实施例涉及移动设备技术领域，公开了一种电容器和显示面板，所述电容器包括：依次层叠设置的第一电极板、第一介电层、第二电极板、第二介电层和第三电极板，所述第一电极板、所述第一介电层和所述第二电极板共同形成第一电容，所述第二电极板、所述第二介电层和所述第三电极板共同形成第二电容，所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值，所述第一电容的击穿电压小于所述第二电容的击穿电压。本发明提供的电容器和显示面板能够在提高电容容量的同时，提高击穿电压。

技术领域

本发明实施例涉及移动设备技术领域，特别涉及一种电容器和显示面板。

背景技术

AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性AMOLED，因其具有轻薄、可弯曲或折叠、能任意改变形状等优点，正越来越受到市场重视。对于AMOLED中通常需要设置电容器，以维持画面点亮。随着显示屏PPI需求的提高，以及刷新频率需求的降低，要求电容器具有更高的电容容量和更高的击穿电压。

现有技术制作的电容器的质量有待提高。

发明内容

本发明实施方式的目的在于提供一种电容器和显示面板，其能够在提高电容容量的同时，提高击穿电压。

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种电容器，包括：依次层叠设置的第一电极板、第一介电层、第二电极板、第二介电层和第三电极板，所述第一电极板、所述第一介电层和所述第二电极板共同形成第一电容，所述第二电极板、所述第二介电层和所述第三电极板共同形成第二电容，所述第一电容的电容值大于所述第二电容的电容值，所述第一电容的击穿电压小于所述第二电容的击穿电压。

本发明的实施方式还提供了一种显示面板，包括上述的电容器。

另外，所述第一介电层的介电常数大于所述第二介电层的介电常数，所述第一介电层的等效电阻小于所述第二介电层的等效电阻。通过此种方式，能够使第一电容的电容值大于第二电容的电容值，第一电容的击穿电压小于第二电容的击穿电压。

另外，所述第一介电层为第一复合结构；优选地，所述第一复合结构包括第一层和第二层，所述第一层的介电常数大于所述第二层的介电常数，所述第一层的等效电阻小于所述第二层的等效电阻。通过采用复合结构的第一介电层，能够在改善第一介电层的介电常数的同时，提高第一介电层的等效电阻，从而提高了电容器的击穿电压。

另外，所述第一层的材质为氧化物或氮化物；优选地，所述第一介电层的材质为氧化锆或氧化铪。通过使用氧化物或氮化物制备第一层，能够使第一层具备高介电常数，从而有效提高第一电容的电容容量。

另外，所述第二层的材质为氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、氮碳化硅、氧碳化硅或二氧化钛中的一种或几种。通过此种方式，使得第二层的等效电阻变高，从而提高了第一电容的击穿电压。

另外，所述第二介电层为第二复合结构；优选地，所述第二复合结构包括第三层和第四层，所述第三层的材质与所述第四层的材质相同。此种结构的设置，不会造成电容器漏电流增加与击穿电压降低等问题，从而提高了电容器制备工艺的可靠度与良率。

另外，所述第三层的材质为氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅、氮碳化硅、氧碳化硅、二氧化钛或三氧化二铝中的一种或几种。

另外，所述第一介电层的厚度在50纳米至100纳米之间；优选地，所述第二介电层的厚度在50纳米至100纳米之间。此种厚度范围的第一介电层和第二介电层，能够在提高电容器的容量和击穿电压的同时，不影响电容器的整体厚度，以避免使用电容器的显示面板的弯折性能受到影响。