[发明专利]限制微型元件于导电垫上的方法在审
申请号: | 201910894574.0 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN111755347A | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 陈立宜 | 申请(专利权)人: | 美科米尚技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张琳 |
地址: | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 限制 微型 元件 导电 方法 | ||
1.一种限制微型元件于导电垫上的方法,其特征在于,包含:
形成导电垫于基板上,所述导电垫具有第一侧向长度;
形成液体层于所述导电垫上;以及
放置具有第二侧向长度的所述微型元件于所述导电垫的上方,使得所述微型元件接触所述液体层,并由位于所述微型元件和所述导电垫之间的所述液体层所产生的毛细力抓住微型元件,所述微型元件包含电极,所述电极面向所述导电垫,其中所述第一侧向长度小于或等于两倍的所述第二侧向长度。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述液体层更包含:
在包含蒸气的环境中调节所述导电垫的温度至一选定温度点,使得一部分所述蒸气凝结并在所述导电垫上形成液体层。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述选定温度点为露点。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,形成所述液体层更包含:
局部地喷洒气体至所述导电垫和一部分的所述基板上,使得一部分所述气体凝结并在所述导电垫上形成液体层,其中所述气体的水蒸气压高于环境水蒸气压。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述液体层包含水。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,更包含:
蒸发所述液体层,使得所述微型元件的所述电极贴附至所述导电垫并与所述导电垫电性接触。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,所述导电垫和所述电极当中至少一者包含粘合材料,且所述方法更包含:
在蒸发所述液体层后,升高所述导电垫的温度至高于所述粘合材料的熔点。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导电垫和所述电极当中至少一者包含粘合材料,且所述方法更包含:
在蒸发所述液体层后,升高所述导电垫的温度至低于所述粘合材料的熔点。
9.如权利要求6所述的方法,其特征在于,更包含:
在蒸发所述液体层后,升高所述导电垫的温度至高于所述导电垫和所述电极的共晶点。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述导电垫和所述微型元件的所述电极当中的至少一个包含粘合材料。
11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,当所述毛细力抓住所述微型元件时,所述液体层的厚度小于所述微型元件的厚度。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一侧向长度大于或等于所述第二侧向长度的三分之二。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造