[发明专利]一种芯片测试装置在审
申请号: | 201910894588.2 | 申请日: | 2019-09-20 |
公开(公告)号: | CN110579699A | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 钟行;岳爱文;胡艳;李晶;李明 | 申请(专利权)人: | 武汉电信器件有限公司 |
主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R31/28;G01M11/00 |
代理公司: | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王军红;张颖玲 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 观测装置 待测芯片 第二表面 第一表面 芯片测试装置 光敏区域 透光玻璃 镂空区域 电极 探针连接 信号形成 光斑 载物台 射入 发射 申请 | ||
本申请实施例公开了一种芯片测试装置,所述芯片测试装置包括:载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片;所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧,所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧;所述待测芯片的第一表面设有电极,所述待测芯片的第二表面设有光敏区域;其中,所述载物台上设有镂空区域,所述镂空区域设有透光玻璃;所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面;所述第一观测装置,用于呈现所述待测芯片的第一表面,所述第一表面上的电极与探针连接;所述第二观测装置,用于呈现所述待测芯片的第二表面,所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种芯片测试装置。
背景技术
为了适应光通信向宽带宽方向发展的需要,出现了各种不同类型的高速光电探测器,按照光耦合方式的不同,光电探测器可以分为正面入射,背面入射和侧面入射等几种类型。
然而对于背入射式的光电探测器,欧姆接触电极与入射光敏面分别位于光电探测器的正面与背面,使得传统的正入射式光电探测器的测试方法无法对该种类型的光电探测器芯片进行带光测试,因此,如何对背入射式的光电探测器进行带光测试,成为了亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此,本申请的主要目的在于提供一种芯片测试装置。
为达到上述目的,本申请的技术方案是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供一种芯片测试装置,所述芯片测试装置包括:载物台、第一观测装置、第二观测装置和待测芯片;所述第一观测装置位于所述载物台的第一侧,所述第二观测装置位于所述载物台的第二侧;所述待测芯片的第一表面设有电极,所述待测芯片的第二表面设有光敏区域;其中,
所述载物台上设有镂空区域,所述镂空区域设有透光玻璃;所述第二观测装置发射的光信号能够透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面;
所述第一观测装置,用于呈现所述待测芯片的第一表面,所述第一表面上的电极与探针连接;
所述第二观测装置,用于呈现所述待测芯片的第二表面,所述第二表面上具有光敏区域和所述光信号形成的光斑。
进一步地,所述第二观测装置包括激光器和透镜;其中,
所述激光器用于发射光信号;所述透镜用于将所述激光器发射的光信号调整为平行光后,透过所述透光玻璃射入所述待测芯片的第二表面。
进一步地,所述第二观测装置包括位置调节器,所述位置调节器能够沿以下至少一种方向对所述激光器和所述透镜的位置进行调整:第一方向、第二方向、第三方向;其中,所述第一方向、第二方向和第三方向之间相互垂直。
进一步地,所述位置调节器沿所述第一方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下,所述第二表面上的所述光斑的大小发生改变。
进一步地,所述位置调节器沿所述第二方向和/或所述第三方向对所述激光器和所述透镜的位置调整的情况下,所述第二表面上的所述光斑的位置发生改变。
进一步地,所述激光器和所述透镜位于目标位置的情况下,所述光斑所在的区域与所述光敏区域重合。
进一步地,所述激光器为可调谐激光器,所述可调谐激光器发射的光信号的光波长和/或光功率可调。
进一步地,所述探针与电压源连接,所述电压源用于通过所述探针向所述待测芯片上的电极施加工作电压。
进一步地,所述待测芯片的电极被施加工作电压的情况下,所述待测芯片能够因所述光信号射入所述光敏区域而生成响应电流。
进一步地,所述透光玻璃为镀膜透光玻璃,所述镀膜透光玻璃的透光率大于等于目标阈值。
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