[发明专利]一种基于Class-D水声通信的功放及水声通信设备有效

专利信息
申请号: 201910895101.2 申请日: 2019-09-20
公开(公告)号: CN110620623B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 张启;崔军红;周浩 申请(专利权)人: 深圳市智慧海洋科技有限公司
主分类号: H04B13/02 分类号: H04B13/02;H03F1/02;H03F3/213;H03F3/217
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区社*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 class 通信 功放 设备
【权利要求书】:

1.一种基于Class-D的水声通信功放,其特征在于:包括积分电路、电平转换电路、驱动部件、MOS开关部件、阻抗匹配变压器及换能器;

所述积分电路用于产生三角波信号;

所述电平转换电路用于将所述三角波信号转换为PWM信号;

所述驱动部件接收所述PWM信号,以驱动所述MOS开关部件;

所述驱动部件与所述MOS开关部件在物理上分立设置,所述驱动部件与所述MOS开关部件设置在不同的物理板卡上;

所述MOS开关部件为MOS全桥电路;

所述驱动部件包括第一驱动器与第二驱动器;

所述电平转换电路将所述三角波信号转换为PWM信号,包括:

所述电平转换电路将所述三角波信号转换为相位相反的两个PWM信号;

其中,两个所述PWM信号分别输入到所述第一驱动器与所述第二驱动器,使所述第一驱动器驱动所述MOS全桥电路的上半桥,所述第二驱动器驱动所述MOS全桥电路的下半桥;

所述阻抗匹配变压器与所述换能器通过匹配电路连接,所述阻抗匹配变压器同时与所述MOS全桥电路的上半桥与下半桥连接。

2.根据权利要求1所述的基于Class-D的水声通信功放,其特征在于:

包括第一高频滤波电路与第二高频滤波电路;

所述第一高频滤波电路设于所述MOS全桥电路的上半桥与所述阻抗匹配变压器之间;

所述第二高频滤波电路设于所述MOS全桥电路的下半桥与所述阻抗匹配变压器之间。

3.根据权利要求1所述的基于Class-D的水声通信功放,其特征在于:还包括反馈电路,所述反馈电路从MOS全桥电路的输出端回连至所述积分电路。

4.根据权利要求1所述的基于Class-D的水声通信功放,其特征在于:

所述MOS全桥电路的上半桥包括第一MOS晶体管与第二MOS晶体管,所述第一MOS晶体管的漏极与所述第二MOS晶体管的源极相连,第一MOS晶体管的源极连接第一源极电源端子,第二MOS晶体管的漏极连接第一漏极电源端子,所述MOS全桥电路的下半桥包括第三MOS晶体管与第四MOS晶体管,所述第三MOS晶体管的漏极与所述第四MOS晶体管的源极相连,第三MOS晶体管的源极连接第二源极电源端子,第四MOS晶体管的漏极连接第二漏极电源端子;

所述第一驱动器包括第一高压信号端子、第一低压信号端子以及第一基准信号端子,所述第一高压信号端子与所述第一MOS晶体管的栅极连接,所述第一低压信号端子与所述第二MOS晶体管的栅极连接,所述第一基准信号端子与所述第一MOS晶体管的漏极、所述第二MOS晶体管的源极并接;

所述第二驱动器包括第二高压信号端子、第二低压信号端子以及第二基准信号端子,所述第二高压信号端子与所述第三MOS晶体管的栅极连接,所述第二低压信号端子与所述第四MOS晶体管的栅极连接,所述第二基准信号端子与所述第三MOS晶体管的漏极、所述第四MOS晶体管的源极并接。

5.根据权利要求4所述的基于Class-D的水声通信功放,其特征在于:

还包括第一自举电路与第二自举电路;

所述第一自举电路包括第一电源端子与第一自举电容,所述第一自举电容的一端与所述第一基准信号端子相连,所述第一自举电容的另一端与所述第一电源端子以及所述第一MOS晶体管的栅极并接;

所述第二自举电路包括第二电源端子与第二自举电容,所述第二自举电容的一端与所述第二基准信号端子相连,所述第二自举电容的另一端与所述第二电源端子以及所述第三MOS晶体管的栅极并接。

6.根据权利要求5所述的基于Class-D的水声通信功放,其特征在于:

所述第一自举电路还包括第一二极管,所述第一二极管的一端与所述第一电源端子连接,所述第一二极管的另一端与所述第一自举电容以及所述第一MOS晶体管的栅极相连,所述第一二极管供所述第一电源端子为所述第一自举电容充电;

所述第二自举电路还包括第二二极管,所述第二二极管的一端与所述第二电源端子连接,所述第二二极管的另一端与所述第二自举电容以及所述第三MOS晶体管的栅极相连,所述第二二极管供所述第二电源端子为所述第二自举电容充电。

7.一种水声通信设备,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一项所述的基于Class-D的水声通信功放。

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