[发明专利]掺杂型金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用

权利要求书

1.掺杂型金属氧化物半导体，其特征在于，该掺杂型金属氧化物半导体为掺杂有稀土氧化物的氧化铟锡或氧化铟锡锌；

所述稀土氧化物为氧化镨和/或氧化镱；镨和/或镱与氧化铟锡或氧化铟锡锌的掺杂摩尔比为0.002-0.4:1；

所述掺杂型金属氧化物半导体存在光生载流子快速复合中心。

2.如权利要求1所述的掺杂型金属氧化物半导体，其特征在于，所述氧化铟锡中，In和Sn的摩尔比为2-5:1。

3.如权利要求1所述的掺杂型金属氧化物半导体，其特征在于，所述氧化铟锡锌中，In、Sn、Zn三种金属元素的原子比例关系如下：0.2≤In/(In+Sn+Zn)≤0.8，0.2≤Sn/(In+Sn+Zn)≤0.4，0≤Zn/(In+Sn+Zn)≤0.5。

4.如权利要求1所述的掺杂型金属氧化物半导体，其特征在于，镨和/或镱与氧化铟锡或氧化铟锡锌的掺杂摩尔比为0.02-0.40:1。

5.薄膜晶体管，其特征在于，包括有源层，所述有源层由如权利要求1-4任一项所述的掺杂型金属氧化物半导体经物理气相沉积工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、激光沉积工艺或者溶液法制备而成；

所述薄膜晶体管在光照和非光照条件下开启电压变化△V_on量小于2V。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层经磁控溅射工艺制备而成，溅射气压为0.1-0.6Pa，溅射氛围中氧气体积占比为10-50％，衬底温度为室温至300℃。

7.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括基板、栅极、栅绝缘层、源漏极和钝化层，所述薄膜晶体管采用刻蚀阻挡型结构或自对准型结构。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层为氧化硅薄膜，或氮化硅和氧化硅组成的叠层结构。

9.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括基板、栅极、栅绝缘层、源漏极和钝化层，所述薄膜晶体管采用背沟道刻蚀型结构，采用铝酸基刻蚀液。

10.如权利要求5-9任一项所述的薄膜晶体管在显示面板或探测器中的应用。