[发明专利]一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法

权利要求书

1.一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于步骤如下：

(1)在待加工的高介电常数陶瓷基板的上表面和下表面分别进行粗化处理；所述的步骤(1)中，粗化处理是指采用紫外激光进行阵列刻线式刻蚀粗化处理；

(2)对粗化处理后的基板进行清洗；

所述的步骤(2)中，对粗化处理后的基板进行清洗过程为：

第一步，使用研磨剂对基板表面进行抛擦，抛擦后使用去离子水反复冲洗，然后将基板放入到丙酮中进行超声清洗，最后将基板放入到乙醇中进行超声清洗；

第二步，超声清洗结束后使用去离子水反复冲洗，将冲洗后的基板放入到铬酸中浸泡，浸泡时间为12-16h，浸泡结束后使用去离子水反复冲洗；

第三步，冲洗结束后再将基板放入到去离子水中煮沸5-10min，煮沸结束后再放入到乙醇中进行超声脱水3-5min，超声脱水结束后在红外灯下烘烤30-60s；

(3)对清洗后的基板进行高温煅烧；

所述的步骤(3)中，高温煅烧工艺为：

第一阶段，从室温升温至200℃，升温时间为8min；

第二阶段，从200℃升温至400℃，升温时间为15min；

第三阶段，从400℃升温至830℃，升温时间为30min，保温时间60min；

第四阶段，从830℃降温至600℃，降温时间为17min；

第五阶段，从600℃自然降温至室温；

(4)使用磁控溅射工艺在高温煅烧后的基板上表面和下表面分别制作薄膜金属层。

2.根据权利要求1所述的一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于：在步骤(4)的薄膜金属层上进行图形制作，得到所需微波电路图形。

3.根据权利要求1或2所述的一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于：所述的步骤(1)中，待加工的高介电常数陶瓷基板是指介电常数为36.5±2的TD-36基板。

4.根据权利要求1或2所述的一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于：所述的步骤(1)中，待加工的高介电常数陶瓷基板是指介电常数为21.5±0.5的SF210K基板。

5.根据权利要求1所述的一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于：紫外激光的波长为365nm，紫外激光的频率为60KHz，紫外激光的平均输出功率为2.3W。

6.根据权利要求1所述的一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于：紫外激光的光斑直径为18μm，阵列刻线间距为13μm，离焦量为100μm。

7.根据权利要求1所述的一种提高高介电常数陶瓷基板金属膜层附着力的方法，其特征在于：刻线重复2遍，重复模式为横纵叠加。