[发明专利]半导体装置及制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；

晶体管部，其设置于所述半导体基板；

二极管部，其设置于所述半导体基板；

第二导电型的阱区，其在所述半导体基板的上表面露出；

温度检测部，在俯视下其与所述二极管部相邻，并且设置在所述阱区的上方；以及

上表面侧寿命控制区域，其在所述二极管部设置在所述半导体基板的上表面侧，并且在俯视下设置在不与所述温度检测部重叠的区域。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视下，所述温度检测部被夹在与其相邻的所述二极管部之间。

3.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；

有源部，其在半导体基板设置有晶体管部和二极管部；

耐压构造部，其设置于所述半导体基板，并且在俯视下包围所述有源部；

第二导电型的阱区，其在所述半导体基板的上表面露出；

温度检测部，在俯视下其设置在所述有源部与所述耐压构造部之间，并且设置在所述阱区的上方；以及

上表面侧寿命控制区域，其在所述二极管部设置在所述半导体基板的上表面侧，并且在俯视下设置在不与所述温度检测部重叠的区域。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视下，所述温度检测部与所述上表面侧寿命控制区域之间的距离为90μm以下。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述上表面侧寿命控制区域在俯视下设置在不与所述阱区重叠的区域。

6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述晶体管部和所述二极管部具有从所述半导体基板的表面设置到内部的沟槽部，

在所述阱区的内部设置有所述沟槽部的一部分。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述二极管部具有第二导电型的阴极区，所述阴极区设置在所述半导体基板的内部，并且在所述半导体基板的下表面露出，

在俯视下，所述上表面侧寿命控制区域的端部配置在所述阴极区与所述温度检测部之间。

8.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；

晶体管部，其设置于所述半导体基板；

二极管部，其设置于所述半导体基板；

第二导电型的阱区，其在所述半导体基板的上表面露出；

温度检测部，其设置在所述阱区的上方；以及

上表面侧寿命控制区域，其在所述二极管部设置在所述半导体基板的上表面侧，并且在俯视下，所述上表面侧寿命控制区域与所述温度检测部之间的距离为90μm以下。

9.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，其设置有第一导电型的漂移区；

第二导电型的阱区，其在所述半导体基板的上表面露出；

温度检测部，其设置在所述阱区的上方；以及

上表面侧寿命控制区域，在俯视下其设置在与所述温度检测部重叠的区域，并且包含寿命控制剂，

所述温度检测部不含所述寿命控制剂。

10.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

在半导体基板的上方形成温度检测部，

形成遮蔽所述温度检测部的掩模部，

从所述半导体基板的上表面侧导入寿命控制剂，从而在俯视下不与所述温度检测部重叠的区域形成上表面侧寿命控制区域。

11.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，

从半导体基板的上表面侧导入寿命控制剂，从而形成上表面侧寿命控制区域，

在所述半导体基板的上方形成温度检测部，在形成所述温度检测部的步骤中，在俯视下在与所述上表面侧寿命控制区域重叠的位置形成温度检测部。