[发明专利]一种水仙花优良品种选育的方法在审
申请号: | 201910897524.8 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110476802A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 张彤;连思炀;林小妮;蔡易良;谢荣生 | 申请(专利权)人: | 漳州国佳水仙花研究院有限公司 |
主分类号: | A01H1/02 | 分类号: | A01H1/02;A01H1/04;A01H4/00 |
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地址: | 363000 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 亲本材料 水仙 植株 移栽 品种选育 稳定遗传 植物品种 组织培养 鳞茎盘 耐寒性 外植体 鳞片 亲本 种植 大田 喇叭 杂交 配置 培育 | ||
1.一种水仙花优良品种选育的方法,其特征在于:具体包括如下操作步骤:
步骤一:配置水仙花的优势组合:
(1)以多花水仙为亲本材料A,喇叭水仙为亲本材料B,并将亲本材料A与亲本材料B的花种源分别移栽到10公里内没有水仙种植的区域,然后各自挑选种植区内的优势植株;
(2)取优势植株的亲本材料A以及亲本材料B的具有双鳞片的鳞茎盘作为外植体,利用MS培养基进行组织培养,待其长出根、叶后,移栽至大田中即可得到优势水仙亲本F1;
步骤二:杂交选种:
(1)取步骤一中F1的亲本材料A和亲本材料B做A×B和B×A两种正反杂交方式,分别获得水仙杂交种子AF1和BF1;
(2)第二年,播种AF1种子、BF1种子、F1的亲本材料A种子和亲本材料B种子,在AF1和BF1开花后选取耐寒性和亲本材料B的耐寒性最近接的植株,分别作母本材料,采用AF1×B和BF1×A两种方式杂交分别获得AF2和BF2的种子;
(3)第三年,播种AF2种子和BF2种子,在AF2和BF2中各选取耐寒性和亲本材料B最接近的单株,分别以AF2中选取的单株为母本,以BF2中选取的单株为父本,进行杂交授粉,获得杂交种AF3;
(4)第四年,播种AF3种子,选取耐寒性和亲本材料B最接近、单株开花数多的单株套袋自交,获得F4种子;
(5)第五年,播种F4种子,以耐寒性和亲本材料B相同、单株开花数多为选育目标连续自交3—4代,获得稳定的耐寒多花水仙。
2.根据权利要求1所述的一种水仙花优良品种选育的方法,其特征在于:所述步骤一中的(2)组织培养方法具体为:将具有双鳞片的鳞茎盘5×10mm作为外植体,装入20×100mm的玻璃管中,每管10mm MS培养基,经消毒处理后,每管植入一个外植体,然后在25℃中培养,接种10天后产生小凸起,20天后成小球,1月后转入在含NAA 0.1/mg的MS培养基中,6-8周后长出根、叶后移栽至大田中即可。
3.根据权利要求1所述的一种水仙花优良品种选育的方法,其特征在于:所述步骤一中(2)的MS培养基中,每升附加30g蔗糖与5g活性炭,且MS培养基的pH至为5-7。
4.根据权利要求1所述的一种水仙花优良品种选育的方法,其特征在于:所述步骤一中的(2)还可以直接用带有两个鳞片的鳞茎盘作为繁殖材料。
5.根据权利要求4所述的一种水仙花优良品种选育的方法,其特征在于:直接采用带有两个鳞片的鳞茎盘作为繁殖材料的繁殖方法具体为:将带有两个鳞片的鳞茎盘先放在低温4-10℃处4-8周,然后在常温中将鳞茎盘切小,使每块带有两个鳞片,并将鳞片的上端切除2cm作繁殖材料,利用塑料袋盛含水50{bf}的蛭石或含水6{bf}的砂,接着将繁殖材料放入袋中,封闭袋口,置于20-28℃温度中黑暗的地方,待长出待其长出根、叶后,移栽至大田中即可。
6.根据权利要求1所述的一种水仙花优良品种选育的方法,其特征在于:所述步骤一中的(2)还可以直接用水仙的亲本材料的芽尖作为外植体进行组织培养,且所用到的MS培养基与采用具有双鳞片的鳞茎盘作为外植体时所用的MS培养基相同。
7.根据权利要求1所述的一种水仙花优良品种选育的方法,其特征在于:上述所述步骤中将水仙单株移栽至大田内的株距为20×20cm。
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