[发明专利]CMOS图像传感器的形成方法及CMOS图像传感器在审
| 申请号： | 201910898437.4 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN112542474A | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;赵立新 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 形成 方法 | ||
1.一种CMOS图像传感器的形成方法,其特征在于,
所述CMOS图像传感器包括：转移晶体管、复位晶体管和复合晶体管；
所述复合晶体管由源跟随晶体管和行选通晶体管所组成，用于实现源跟随晶体管和行选通晶体管的功能；其中，所述复合晶体管的栅极区域为两栅结构，两栅结构之间直接通过氧化层进行间隔。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述步骤包括：
于半导体衬底上进行常规工艺；
依次形成第一氧化层和第一栅极层；
刻蚀第一栅极层的部分区域，暴露出第一氧化层的部分区域;
去除暴露出的第一氧化层；
依次形成第二氧化层和第二栅极层；
去除第一栅极层顶部的第二栅极层，暴露出第一栅极层顶部的第二氧化层；去除暴露出的第二氧化层，所述第一栅极层与第二栅极层由剩余第一栅极层侧壁的第二氧化层直接隔开；
刻蚀第一栅极和第二栅极分别形成实现源跟随晶体管和行选通晶体管功能的栅极区域，进而形成复合晶体管。
3.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，通过化学机械研磨或刻蚀去除第一栅极层顶部的第二栅极层。
4.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一氧化层厚度为50埃至100埃。
5.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二氧化层的厚度为：15埃至50埃。
6.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器的形成方法，其特征在于，沉积所述第一栅极层和所述第二栅极层的厚度相等且为1000埃至3000埃。
7.一种CMOS图像传感器，其特征在于，所述CMOS图像传感器包括：形成转移晶体管、复位晶体管和复合晶体管；
所述复合晶体管为源跟随晶体管和行选通晶体管所组成的晶体管,用于实现源跟随晶体管、行选通晶体管的功能；其中，所述复合晶体管的栅极区域为两栅结构，两栅结构之间直接通过栅氧化层进行间隔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
