[发明专利]低介电低损耗的5G应用材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201910898979.1 | 申请日： | 2019-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN110655789A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 岑建军;吴春泉;张杰;吴武波;崔海龙;卢善波 | 申请（专利权）人： | 宁波今山新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08L79/08 | 分类号： | C08L79/08;C08L27/18;C08K3/36;C08K3/04;C08K3/08 |
| 代理公司： | 33241 杭州斯可睿专利事务所有限公司 | 代理人： | 唐迅 |
| 地址： | 315176 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 材料层 应用材料 低损耗 低介 低热膨胀系数 低介电常数 低介质损耗 低收缩率 上下两侧 包覆 | ||
1.一种低介电低损耗的5G应用材料，包括位于中间的MPI材料层，以及包覆在MPI材料层上下两侧的LCP材料层，其中MPI材料层的厚度是25~75um，LCP材料层的厚度为12.5~50um。
2.一种如权利要求1所述的低介电低损耗的5G应用材料的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、制备聚酰胺酸溶液，先将两种二胺放入反应釜中，并用极性溶剂溶解，然后放入改性纳米填料，最后再分批加入两种二酐到反应釜中，搅拌，制备成所需的聚酰胺酸溶液；其中改性纳米填料占聚酰胺酸溶液的质量比为5%；所述改性纳米填料按重量份包括75-80份聚四氟乙烯、10-15份二氧化硅、2-3份石墨烯以及1-2份纳米银粉；
步骤二、制备低介电低损耗的5G应用材料，将上述混合均匀的聚酰胺酸溶液经过真空脱泡后流延至钢带或者玻璃基材上，并在干燥惰性气体的保护下采用远红外加热的方式，具体是先在100-120℃保持10-20min，然后依次在140-160℃保持10-20min，在180-220℃保持10-20min，在220-280℃保持10-20min，在320-380℃保持10-20min，在380-400℃保持5-10min，经拉伸亚胺化得到MPI材料层，厚度为25~75um，然后在MPI材料层的上下两侧分别涂覆LCP材料层，控制LCP材料层的厚度为 12.5~50um。
3.根据权利要求1所述的低介电低损耗的5G应用材料的制备方法，其特征在于：所述制备聚酰胺酸溶液中的二酐为均苯四甲酸二酐（PMDA）、氢化均苯四甲酸二酐（HPMDA）、3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐（BPDA）、3,3',4,4'-二苯酮四酸二酐(BTDA)、4,4'-联苯醚二酐(ODPA)、双酚A二酐（BPADA）、4,4'-(六氟异丙烯)二酞酸酐(6FDA)中的两种或几种。
4.根据权利要求1所述的低介电低损耗的5G应用材料的制备方法，其特征在于：所述二胺为4,4-二氨基二苯醚（4,4-ODA）、3,4’-二氨基二苯醚（3,4-ODA）、对苯二胺（PPD）、4,4-二氨基二苯基甲烷（MDA）、2,2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基联苯(TFMB)、4,4-二氨基苯砜（4,4-DDS）、1,4-双(4-氨基-2-三氟甲基苯氧基)苯（6FAPB）、1,3-二(4-氨基苯氧基)苯（1,3,4-APB）中的两种或几种。
5.根据权利要求1所述的低介电低损耗的5G应用材料的制备方法，其特征在于：所述极性溶剂是二甲基乙酰胺（DMAC）、N-甲基吡咯烷酮（NMP）、二甲基甲酰胺（DMF）中的一种或几种。
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