[发明专利]数字X射线检测器和用于其的薄膜晶体管阵列衬底

权利要求书

1.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列衬底，包括：

基底衬底；

设置在所述基底衬底上的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、以及连接至所述有源层的第一电极和第二电极；

设置在所述薄膜晶体管上的第一保护层；

设置在所述第一保护层上的PIN二极管，其中，所述PIN二极管包括连接至所述薄膜晶体管的下电极、所述下电极上的PIN层以及所述PIN层上的上电极；

覆盖所述PIN二极管的至少一部分的第二保护层，其中，所述薄膜晶体管未被所述第二保护层覆盖；

设置在所述PIN二极管上并且连接至所述上电极的偏置电极；以及

设置在所述偏置电极上的第三保护层，其中，所述第三保护层覆盖所述薄膜晶体管和所述PIN二极管。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第三保护层与所述第一保护层和所述第二保护层两者直接接触。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管阵列衬底还包括设置在所述第二保护层与所述第三保护层之间的平坦化层，

其中，所述平坦化层与所述第一保护层和所述第二保护层两者直接接触。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第二保护层覆盖所述PIN二极管的整个表面。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第二保护层覆盖所述PIN二极管的边缘区域。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第二保护层覆盖除了所述薄膜晶体管以外的所述基底衬底的整个表面。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第二保护层还覆盖所述薄膜晶体管的所述栅电极。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第二保护层还覆盖所述薄膜晶体管的第一接触孔和第二接触孔中的一个。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第二保护层包括SiN_x。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述薄膜晶体管阵列衬底还包括设置在所述有源层与所述第一电极和所述第二电极之间的层间绝缘层，

其中，所述有源层分别经由形成在所述层间绝缘层中的第一接触孔和第二接触孔而连接至所述第一电极和所述第二电极。

11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第一保护层、所述层间绝缘层和所述第三保护层中的每一个包括SiO₂和SiON中的一个。

12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列衬底，其中，所述第一保护层包括SiN_x，其中，所述第一接触孔和所述第二接触孔中的至少一个未被SiN_x覆盖。

13.一种数字X射线检测器，包括：

根据权利要求1至12中的任一项所述的薄膜晶体管阵列衬底；以及

设置在所述薄膜晶体管阵列衬底上的闪烁体层。