[发明专利]一类哑铃型空穴传输材料、合成方法和钙钛矿太阳能电池有效

专利信息
申请号: 201910899414.5 申请日: 2019-09-23
公开(公告)号: CN110627667B 公开(公告)日: 2022-08-30
发明(设计)人: 李公强;杜梦真;赖雪 申请(专利权)人: 南京烯勒光电科技有限公司
主分类号: C07C217/92 分类号: C07C217/92;C07C213/08;C07D207/34;C07D307/66;C07D333/36;H01L51/46;H01L51/42
代理公司: 北京恒创益佳知识产权代理事务所(普通合伙) 11556 代理人: 付金豹
地址: 210008 江苏省南京市江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一类 哑铃 空穴 传输 材料 合成 方法 钙钛矿 太阳能电池
【权利要求书】:

1.一类哑铃型空穴传输材料,其具有以下特征的化学结构通式:

其中:Ar为芳基和杂芳基,其结构式为a,b,c,d,e的任意一种,其中R为H或C1-C8烷基链;

结构式中的-*为中心核扭曲的连二芴结构与取代基R1的连接位置;R1为芳基胺类化合物或取代的咔唑类衍生物,其结构式为f,g的任意一种,R2如h所示:

2.根据权利要求1所述的哑铃型空穴传输材料,其特征在于,其结构式为A1-A4之一所示:

3.一类基于权利要求1所述的哑铃型空穴传输材料的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:钙钛矿太阳能电池器件结构包括基底(1)、透明金属电极层(2)、空穴传输层(3)、活性层(4)、电子传输层(5)和金属电极层(6);从基底(1)自下而上依次为透明金属电极层(2)、空穴传输层(3)、活性层(4)、电子传输层(5)和金属电极层(6);所述的透明金属电极层(2)为氧化铟锡或氟掺杂的氧化铟锡;所述的空穴传输层(3)为哑铃型空穴传输材料,厚度为1.9~300nm;所述活性层(4)化学结构通式为CH3NH3PbI3、CH3NH3PbI3-xBrx或CH3NH3PbI3-xClx,其中0≤x≤3;所述电子传输层(5)为PC61BM,PC61BM/PC71BM或氧化锌纳米颗粒。

4.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述的基底(1)为石英或者玻璃。

5.根据权利要求3所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于:所述金属电极层(6)银、铝、镁、铜、金、铬、氧化铟锡或者为氟掺杂的氧化铟锡,厚度为10-300nm。

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