[发明专利]一种等离子体处理器及其加热器组件

权利要求书

1.一种用于等离子体处理器的加热器组件，所述等离子体处理器包含一反应腔，其特征在于，所述加热器组件置于一设定空间内，用于控制等离子体处理器中待加热部件的温度，所述加热器组件包含：

具有设定高度的基体，其侧壁上开设有多层沟槽，任意两相邻层沟槽之间存在高度差；

至少一个加热管，绕制在所述基体上的多层沟槽内，所述加热管沿所述基体的高度方向呈多圈分布，用以增加所述设定空间内的加热管的长度。

2.如权利要求1所述的用于等离子体处理器的加热器组件，其特征在于，所述基体为环形结构，所述加热管绕制在所述基体的外侧壁上的多层沟槽内和/或绕制在所述基体的内侧壁上的多层沟槽内。

3.如权利要求1所述的用于等离子体处理器的加热器组件，其特征在于，所述基体底部宽度大于顶部宽度，所述多层沟槽成螺旋状设置在所述基体的外侧壁和/或内侧壁。

4.如权利要求2或3所述的用于等离子体处理器的加热器组件，其特征在于，所述加热器组件进一步包含有与所述基体相适配的至少一个盖板，其安装在所述基体的内侧壁上和/或所述基体的外侧壁上，用于夹紧固定对应的所述加热管。

5.如权利要求4所述的用于等离子体处理器的加热器组件，其特征在于，所述盖板为中空壳体结构。

6.如权利要求4所述的用于等离子体处理器的加热器组件，其特征在于，所述基体为单层环结构或者所述基体为多层环结构且任意两相邻环中的一外侧环包围在另一内侧环的外侧；

所述基体中至少一层级环形结构的外侧壁上的多层沟槽内和/或内侧壁上的多层沟槽内绕制有多圈分布的所述加热管。

7.如权利要求6所述的用于等离子体处理器的加热器组件，其特征在于，所述基体的环结构的层级记为i，包含n层环结构，n≧1，由内至外各层级数值i依次记为1，2……n；

所述加热管绕制在所述基体的外侧壁上的多层沟槽内，所述加热管的个数为n个或小于n；

或者，所述加热管绕制在所述基体的内侧壁上的多层沟槽内，所述加热管的个数为n个或小于n；

或者，所述加热管同时绕制所述基体的内侧壁上和外侧壁上的多层沟槽内，所述加热管的个数为2n个或小于2n。

8.如权利要求7所述的用于等离子体处理器的加热器组件，其特征在于，当n等于1时，所述基体为单层环结构，进一步包含：

所述盖板的个数为1个，其盖在基体上，所述盖板套设在基板的外侧或所述盖板插入至基体的中空部分内，用于夹紧固定所述基体外侧的加热管或紧固定所述基体内侧的加热管。