[发明专利]用于从腔室排出气体的设备及方法

说明书

本公开提供用于从一腔室泵送气体的设备及方法。在一范例中，公开一种用于从一化学气相沉积腔室排出气体的设备。此设备包括：一壳体以及一涂层。壳体包括一内表面及与化学气相沉积腔室流体连通的至少一入口。涂层在内表面上。涂层配置以使内表面为疏水性。

技术领域

本公开实施例是关于一种用于从腔室排出气体的设备及方法。

背景技术

半导体集成电路晶圆通过多个制造制程生产，制程可包括例如热氧化、扩散、离子布植(ion implantation)、快速热处理(rapid thermal processing，RTP)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、物理气相沉积(chemical vapor deposition，PVD)、外延(epitaxy)、蚀刻、微影等。作为典型的制造制程(例如化学气相沉积制程)的一部分，所选择的气体输入到用于在基板上形成薄膜的反应腔室。这种薄膜不仅沉积在基板上，还沉积在反应腔室的墙及其它暴露表面上。然后将气体泵出反应腔室进入泵送装置，例如真空泵。但是因为只有一小部分输入到腔室中的气体实际上是在沉积过程中消耗，从腔室泵出的气体包含仍处于高反应状态的化合物及/或含有可在泵中形成沉积物的残留物或颗粒物质。这些沉积物会随着时间而堵塞泵及连接到其上的泵送管线、干扰真空泵的正常操作、并缩短泵的使用寿命。另外，沉积的材料可能移动回到腔室中并污染晶圆处理，从而降低晶圆产率并引起提早预防维护。

用于解决堵塞问题的现有技术包括周期性地检修并清洁泵以消除沉积物，例如使用热水及超音波振动。这种清洁需要关闭晶圆处理系统，因此降低反应腔室的效率。没有一种有效的解决方案来保持泵送装置及泵送管线的清洁及无堵塞。

发明内容

本公开一些实施例提供一种用于从腔室排出气体的设备，包括一壳体以及一涂层。壳体包括一内表面以及与一腔室流体连通的至少一入口。腔室为一化学气相沉积腔室。涂层在内表面上，其中涂层配置以使内表面为疏水性。

本公开一些实施例提供一种用于从腔室排出气体的设备，包括一腔室以及一泵送装置。腔室配置以用多个处理气体处理一晶圆。泵送装置包括一壳体以及一涂层。壳体包括一内表面以及与腔室流体连通的至少一入口。涂层在内表面上，其中涂层配置以使内表面为疏水性。

本公开一些实施例提供一种用于从腔室排出气体的方法，包括将一泵送装置的一内表面接触含有疏水性的一第一涂层材料的一第一液体溶剂、干燥第一液体溶剂，以在泵送装置的内表面上形成一第一涂层、将一泵送管线的一内表面接触含有疏水性的一第二涂层材料的一第二液体溶剂、干燥第二液体溶剂，以在泵送管线的内表面上形成一第二涂层、以及将泵送装置连接到一晶圆处理腔室，晶圆处理腔室通过泵送管线与泵送装置流体连通。

附图说明

根据以下的详细说明并配合所附视图做完整公开。应注意的是，图示并未必按照比例绘制。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸及几何，以做清楚的说明。在整个说明书及附图中，相同的参考符号表示相同的特征。

图1示出根据本公开一些实施例的用于处理晶圆的示例性系统的视图。

图2示出根据本公开一些实施例的用于从腔室泵送气体的示例性泵送装置。

图3表示根据本公开一些实施例的用于从腔室泵送气体的示例性泵送装置的剖视图。

图4表示根据本公开一些实施例的用于从腔室泵送气体的示例性泵送装置的底部的立体图。

图5示出根据本公开一些实施例的用于从腔室泵送气体的示例性泵送装置的出口。

图6示出根据本公开一些实施例的用于从腔室泵送气体的示例性泵送装置的泵送管线。

图7为根据本公开一些实施例的用于在腔室中处理晶圆并从腔室泵送气体的示例性方法的流程图。

其中，附图标记说明如下：