[发明专利]一种可重复使用的高通量型太赫兹超材料快速检测方法

权利要求书

1.一种可重复使用的高通量型太赫兹超材料快速检测方法，其特征在于：包括以下步骤：

获取待测物并置于超材料芯片的检测区域上；

判断待测物直径是否超过预设值，如果是，则采用滤过膜去除待测物中溶剂水分子：将与超材料芯片匹配的滤过膜设置于待测物上方，并将滤过膜从上至下挤压待测物；除去滤过膜上方的溶剂水分子，直至将待测物沉积于超材料芯片表面上；

如果否，则在待测物中加入具有捕获探针作用的磁珠，将待测物捕获到磁珠表面，然后在超材料芯片下方设置磁性材料层的吸引作用下，通过磁力吸引的方式分离待测物的溶剂水分子，使得待测物沉积于超材料芯片的表面上；

将超材料芯片送入检测仪器中分别检测不同检测区域中的待测物；

直至超材料芯片上所有检测区域上的待测物检测完毕。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：还包括以下步骤：

对检测完毕后的超材料芯片采用生物酶-十二烷基硫酸钠-异丙醇三联方法进行清洗，具体步骤如下：

将生物酶溶液施加在超材料芯片表面上；

将超材料芯片放置于十二烷基硫酸钠溶液浸泡，去除磁珠和待测物周围的静电吸引力；

用去离子水冲洗超材料芯片表面；

用异丙醇冲洗超材料芯片并用氮气吹干。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：还包括以下步骤：

在采用十二烷基硫酸钠溶液浸泡前，将生物酶溶液施加在超材料芯片表面上。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述滤过膜用于滤过当直径为0.5μm至0.8μm的待测物。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述滤过膜上设置的滤过孔径为0.22μm-0.4μm。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述磁珠粒径为0.22μm-1.0μm。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述超材料芯片采用阵列移动结构设置于载物台上，所述载物台包括底座；

所述底座上设置有定位槽；所述超材料芯片以可活动的方式设置于定位槽中；

所述超材料芯片上设置有用于放置待检测物的若干检测区域；

所述底座上设置有透光孔，所述透光孔与超材料芯片上检测区域匹配，以适于太赫兹波和超材料芯片检测区域上的待检测物相互作用；所述定位槽与超材料芯片之间设置有磁性材料层，以适于超材料芯片在所述定位槽中通过磁力吸引来实现芯片的定位，所述磁性材料层包括分别设置于定位槽的第一磁性材料层和设置于超材料芯片上的第二磁性材料层，所述第一磁性材料层和第二磁性材料层之间能够产生磁力。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述载物台还包括载具，所述载具以活动方式设置于底座上；所述超材料芯片设置于载具上；

所述载具下方设置有定位轴，所述定位轴与所述底座上设置的凹槽配合，所述定位轴与凹槽被设置为可移动的方式连接，以适于太赫兹波和超材料芯片检测区域上的待检测物相互作用。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述载具为移动载具，所述移动载具包括主体、待检部和检测部；所述待检部设置于主体的四周，所述检测部设置于主体中部，所述待检部和检测部之间设置有用于超材料芯片滑动的通道，所述检测部正对于透光孔上方，以适于太赫兹波和超材料芯片的检测部上的待检测物相互作用；

所述主体为圆形板，所述待检部沿圆周设置，所述检测部设置于圆心，所述通道为设置于待检部和检测部之间的凹槽，所述超材料芯片与凹槽配合以使得超材料芯片能在凹槽上移动。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述超材料芯片送入检测仪器中对待测物进行检测是按照以下步骤来实现的：

将载物台放入检测仪器中的载物台固定支架上；

调整载物台的透光孔使得太赫兹波作用于超材料芯片检测区域上的待检测物上；

待检测区域的检测结束后转动载物台上的载具；

调节载具上超材料芯片的下一个检测区域的位置；

使得下一个检测区域的位置正对于载物台的透光孔；

直到超材料芯片上所有检测区域检测完毕。