[发明专利]一种光伏组件制造方法和光伏组件有效
申请号: | 201910901460.4 | 申请日: | 2019-09-23 |
公开(公告)号: | CN110718592B | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 刘超;陈振博;陈诚;沈灿军;朱琛;吕俊 | 申请(专利权)人: | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/048;H01L31/05 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 225300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 组件 制造 方法 | ||
1.一种光伏组件制造方法,其特征在于,包括:
将多个电池片依次连接为第一电池串;
在所述第一电池串的第一表面和第二表面分别形成至少一层钝化薄膜,以获得第二电池串;其中,所述第一表面为所述第一电池串的光照表面,所述第二表面为所述第一电池串的背光表面;
将所述第二电池串封装为光伏组件;
其中,在所述第一电池串的第一表面和第二表面分别形成至少一层钝化薄膜时,包括:在所述第一电池串中连接所述电池片的焊带或导电胶的表面形成至少一层所述钝化薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一电池串的第一表面形成的所述至少一层钝化薄膜的总厚度大于等于10纳米、且小于等于60纳米。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一电池串的第二表面形成的所述至少一层钝化薄膜的总厚度大于等于10纳米、且小于等于100纳米。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
在所述第一电池串的第三表面形成所述至少一层钝化薄膜,所述第三表面为所述第一电池串的表面中除所述第一表面和第二表面之外的表面。
5.根据权利要求1-4任一项所述的方法,其特征在于,所述至少一层钝化薄膜中包括氮氧化铬薄膜、三氧化二铝薄膜、二氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和氮化硅薄膜中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述将所述第二电池串封装为光伏组件,包括:
敷设背盖板,并在所述背盖板的上表面敷设第一封装材料;
在所述第一封装材料的上表面敷设所述第二电池串;其中,具有所述至少一层钝化薄膜的所述第二表面抵接所述第一封装材料的上表面;
在具有所述至少一层钝化薄膜的所述第一表面敷设第二封装材料,并在所述第二封装材料的上表面敷设前盖板;
将所述第二电池串、所述前盖板和所述背盖板置于预设条件下,使所述第二电池串、所述前盖板和所述背盖板通过所述第一封装材料和所述第二封装材料粘连在一起;
用边框环绕除具有所述至少一层钝化薄膜的所述第一表面、以及具有所述至少一层钝化薄膜的所述第二表面的四周,以固定所述前盖板、所述第二电池串和所述背盖板。
7.一种光伏组件,其特征在于,包括:前盖板、电池串、背盖板和边框,所述电池串包括多个电池片,所述前盖板覆盖在所述电池串的第一表面,所述背盖板覆盖在所述电池串的第二表面,所述边框环绕所述电池串的除所述第一表面和所述第二表面的四周,用于固定所述前盖板、所述电池串和所述背盖板,所述第一表面为所述电池串的光照表面,所述第二表面为所述电池串的背光表面,所述第一表面和所述第二表面分别覆盖至少一层钝化薄膜;
其中,所述电池串中连接所述电池片的焊带或导电胶的表面具有至少一层所述钝化薄膜。
8.根据权利要求7所述的光伏组件,其特征在于,所述第一表面覆盖的所述至少一层钝化薄膜的总厚度大于等于10纳米、且小于等于60纳米。
9.根据权利要求7所述的光伏组件,其特征在于,所述第二表面覆盖的所述至少一层钝化薄膜的总厚度大于等于10纳米、且小于等于100纳米。
10.根据权利要求7所述的光伏组件,其特征在于,所述电池串的第三表面覆盖所述至少一层钝化薄膜,所述第三表面为所述电池串的表面中除所述第一表面和第二表面之外的表面。
11.根据权利要求7所述的光伏组件,其特征在于,所述至少一层钝化薄膜中包括氮氧化铬薄膜、三氧化二铝薄膜、二氧化硅薄膜、氮氧化硅薄膜和氮化硅薄膜中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泰州隆基乐叶光伏科技有限公司,未经泰州隆基乐叶光伏科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910901460.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的