[发明专利]光检测设备和光检测系统

权利要求书

1.一种光检测设备，其特征在于，包括：

半导体基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及

像素区域，在像素区域中多个像素布置在半导体基板上，每个像素包括雪崩二极管，

其中雪崩二极管包括：

具有第一导电类型的第一半导体区域，设置在第一深度处；

具有第二导电类型的第二半导体区域，设置在相对于第一表面比第一深度深的第二深度处；

第三半导体区域，设置在相对于第一表面比第二深度深的第三深度处并且与第二半导体区域接触；以及

第一分离区域和第二分离区域，各自从第一深度延伸到第三深度，

其中第二半导体区域和第三半导体区域各自从第一分离区域延伸到第二分离区域，以及

其中第一半导体区域、第二半导体区域和第三半导体区域在平面图中具有彼此重叠的部分。

2.如权利要求1所述的光检测设备，其中第三半导体区域具有第一导电类型。

3.如权利要求1所述的光检测设备，其中第一分离区域和第二分离区域中的每一个是具有第二导电类型的半导体区域。

4.如权利要求2所述的光检测设备，其中第一分离区域和第二分离区域中的每一个是具有第二导电类型的半导体区域。

5.如权利要求3所述的光检测设备，其中第一分离区域和第二分离区域连接到施加有预定电位的接触插塞。

6.如权利要求4所述的光检测设备，其中第一分离区域和第二分离区域连接到施加有预定电位的接触插塞。

7.如权利要求1所述的光检测设备，还包括具有第一导电类型的半导体区域，其具有比第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度并且在第一深度处与第一半导体区域和第一分离区域接触。

8.如权利要求2所述的光检测设备，还包括具有第一导电类型的半导体区域，其具有比第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度并且在第一深度处与第一半导体区域和第一分离区域接触。

9.如权利要求3所述的光检测设备，还包括具有第一导电类型的半导体区域，其具有比第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度并且在第一深度处与第一半导体区域和第一分离区域接触。

10.如权利要求5所述的光检测设备，还包括具有第一导电类型的半导体区域，其具有比第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度并且在第一深度处与第一半导体区域和第一分离区域接触。

11.如权利要求6所述的光检测设备，还包括具有第一导电类型的半导体区域，其具有比第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度并且在第一深度处与第一半导体区域和第一分离区域接触。

12.如权利要求7所述的光检测设备，还包括具有第一导电类型的半导体区域，其具有比第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度并且在第一深度处与第一半导体区域和第二分离区域接触。

13.如权利要求11所述的光检测设备，还包括具有第一导电类型的半导体区域，其具有比第一半导体区域的杂质浓度低的杂质浓度并且在第一深度处与第一半导体区域和第二分离区域接触。

14.一种光检测系统，其特征在于，包括多个光检测设备，每个光检测设备如权利要求1至13中任一项所述，所述光检测系统包括：

波长转换单元，被配置为将第一波段中的光转换成与第一波段不同的第二波段中的光；以及

信号处理单元，被配置为合成从被保持在所述多个光检测设备中的多个数字信号获得的多个图像，

其中从波长转换单元输出的第二波段中的光入射在所述多个光检测设备上。