[发明专利]SRAM单元及包括SRAM单元的存储器和电子设备

权利要求书

1.一种静态随机存取存储SRAM单元，包括：

衬底上分两层设置的第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管，各晶体管均是竖直型晶体管，

其中，第一上拉晶体管和第二上拉晶体管设置在第一层上，而第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管设置与第一层处于不同高度的第二层上，

其中，第一上拉晶体管和第二上拉晶体管所在的区域与第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管所在的区域在相对于衬底的上表面的竖直方向上至少部分地交叠 ，以及

其中，各晶体管分别包括在竖直方向上叠置的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及至少部分地绕沟道层的外周且自对准于沟道层的栅电极。

2.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，

第一层相比第二层更靠近衬底，从而第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管相对于衬底的上表面处于第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的上方；或者

第二层相比第一层更靠近衬底，从而第一下拉晶体管、第二下拉晶体管、第一通过门晶体管和第二通过门晶体管相对于衬底的上表面处于第一上拉晶体管和第二上拉晶体管的下方。

3.根据权利要求1或2所述的SRAM单元，其中，

第一上拉晶体管、第一下拉晶体管以及第二上拉晶体管、第二下拉晶体管被连接为两个交叉耦合的反相器，以及

第一通过门晶体管连接在第一上拉晶体管与第一下拉晶体管之间的第一节点与第一位线之间，第二通过门晶体管连接在第二上拉晶体管与第二下拉晶体管之间的第二节点与第二位线之间。

4.根据权利要求3所述的SRAM单元，其中，第一节点设置在第一层与第二层之间，且第二节点设置在第一层与第二层之间。

5.根据权利要求1或2所述的SRAM单元，其中，以下至少之一成立：

第一上拉晶体管与第一下拉晶体管在竖直方向上对准；以及

第二上拉晶体管与第二下拉晶体管在竖直方向上对准。

6.根据权利要求1或2所述的SRAM单元，其中，在平面视图中，第一上拉晶体管、第一下拉晶体管和第一通过门晶体管所在的区域与第二上拉晶体管、第二下拉晶体管和第二通过门晶体管所在的区域间隔开。

7.根据权利要求1或2所述的SRAM单元，其中，

第一上拉晶体管和第二上拉晶体管各自包括一个或多个单位晶体管；或者

第一下拉晶体管和第二下拉晶体管各自包括一个或多个单位晶体管。

8.根据权利要求7所述的SRAM单元，其中，以下至少之一成立：

第一层中的第一上拉晶体管包括的单位晶体管的至少一部分与第二层中的第一下拉晶体管包括的单位晶体管和第一通过门晶体管中的至少一部分在竖直方向上对准；以及

第一层中的第二上拉晶体管包括的单位晶体管的至少一部分与第二层中的第二下拉晶体管包括的单位晶体管和第二通过门晶体管中的至少一部分在竖直方向上对准。

9.根据权利要求1所述的SRAM单元，其中，所述SRAM单元还包括：

相对于衬底的上表面横向延伸的第一互连结构，位于第一层与第二层之间的高度处，其中，第一上拉晶体管面向第一下拉晶体管一侧的源/漏层以及第一下拉晶体管、第一通过门晶体管面向第一上拉晶体管一侧的源/漏层通过所述第一互连结构相互电连接；

相对于衬底的上表面横向延伸的第二互连结构，位于第一层与第二层之间的高度处，其中，第二上拉晶体管面向第二下拉晶体管一侧的源/漏层以及第二下拉晶体管、第二通过门晶体管面向第二上拉晶体管一侧的源/漏层通过所述第二互连结构相互电连接；

相对于衬底的上表面竖直延伸的第三互连结构，电连接第一上拉晶体管的栅电极和第一下拉晶体管的栅电极，并电连接到第二互连结构；以及

相对于衬底的上表面竖直延伸的第四互连结构，电连接第二上拉晶体管的栅电极和第二下拉晶体管的栅电极，并电连接到第一互连结构。