[发明专利]存储器件、垂直NAND闪速存储器件及固态硬盘

说明书

提供了存储器件、垂直NAND闪速存储器件及固态硬盘。一种非易失性存储器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括页面缓冲区域、存储单元阵列、位线、第一垂直导电路径和第二垂直导电路径。所述存储单元阵列形成在所述半导体衬底上方的存储单元区域中，并且包括存储单元。所述位线在所述存储单元阵列上方沿列方向延伸。每一条位线被切割成一个第一位线段和一个第二位线段。所述第一垂直导电路径沿垂直方向延伸并且穿透所述存储单元区域的列方向中心区域。所述第一垂直导电路径连接所述第一位线段和所述页面缓冲区域。所述第二垂直导电路径沿所述垂直方向延伸并且穿透所述列方向中心区域。所述第二垂直导电路径连接所述第二位线段和所述页面缓冲区域。

相关申请的交叉引用

通过引用的方式将于2018年10月25日在韩国知识产权局(KIPO)提交的名为“Nonvolatile Memory Device,Vertical NAND Flash Memory Device and SSD DeviceIncluding the Same”(非易失性存储器件、垂直NAND闪存器件和包括该存储器件的SSD器件)的韩国专利申请No.10-2018-0127940的全部内容结合于本申请中。

技术领域

实施例涉及非易失性存储器件、垂直NAND闪速存储器件以及包括该非易失性存储器件的固态硬盘(SSD)。

背景技术

即使断电，非易失性存储器件也可以保持所存储的数据。虽然易失性存储器件被广泛用作各种装置的主存储器，但是非易失性存储器件被广泛用于在诸如计算机、移动设备等的各种电子设备中存储程序代码和/或数据。

发明内容

实施例涉及一种非易失性存储器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底包括页面缓冲区域、存储单元阵列、多条位线、多个第一垂直导电路径和多个第二垂直导电路径。所述存储单元阵列形成在所述半导体衬底上方的存储单元区域中，并且包括多个存储单元。所述多条位线在所述存储单元阵列上方沿列方向上延伸，所述列方向平行于所述半导体衬底的上表面。所述多条位线中的每一条位线被切割成多个第一位线段中的一个第一位线段和多个第二位线段中的一个第二位线段。所述多个第一垂直导电路径沿垂直方向延伸，并且穿透所述存储单元区域的列方向中心区域，所述垂直方向垂直于所述半导体衬底的所述上表面。所述多个第一垂直导电路径连接所述多个第一位线段和所述页面缓冲区域。所述多个第二垂直导电路径沿所述垂直方向延伸并且穿透所述列方向中心区域。所述多个第二垂直导电路径连接所述多个第二位线段和所述页面缓冲区域。

实施例还涉及具有单元覆盖外围(COP)结构的垂直NAND闪速存储器件，在所述单元覆盖外围结构中，外围电路形成在半导体衬底上，存储单元阵列堆叠在所述外围电路上，并且所述垂直NAND闪速存储器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括页面缓冲区域；存储单元阵列，所述存储单元阵列形成在所述半导体衬底上方的存储单元区域中，并且包括多个单元串，每一个单元串包括在垂直方向上布置的存储单元，所述垂直方向垂直于所述半导体衬底的上表面；多条位线，所述多条位线在所述存储单元阵列上方沿列方向延伸，所述列方向平行于所述半导体衬底的上表面，所述多条位线中的每一条位线被切割成多个第一位线段中的一个第一位线段和多个第二位线段中的一个第二位线段；多个第一垂直导电路径，所述多个第一垂直导电路径沿所述垂直方向延伸并且穿透所述存储单元区域的列方向中心区域，并且所述多个第一垂直导电路径连接所述多个第一位线段和所述页面缓冲区域；以及多个第二垂直导电路径，所述多个第二垂直导电路径沿所述垂直方向延伸并且穿透所述列方向中心区域，并且所述多个第二垂直导电路径连接所述多个第二位线段和所述页面缓冲区域。